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下圖是測量帶電粒子質量的儀器工作原理示意圖。設法是某有機化合物的氣態分子導入圖中所示的容器A中，使它受到電子束轟擊，失去一個電子變成正一價的分子離子。分子離子從狹縫s₁以很小的速度進入電壓為U的加速電場區（初速不計），加速后，再通過狹縫s₂、s₃射入磁感強度為B的勻強磁場，方向垂直于磁場區的界面PQ。最后，分子離子打到感光片上，形成垂直于紙面而且平行于狹縫s₃的細線。若測得細線到狹縫s₃的距離為d

（1）導出分子離子的質量m的表達式。

（2）根據分子離子的質量數M可用推測有機化合物的結構簡式。若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48，寫出其結構簡式。

（3）現有某種含C、H和鹵素的化合物，測得兩個M值，分別為64和66。試說明原因，并寫出它們的結構簡式。

在推測有機化合物的結構時，可能用到的含量較多的同位素的質量數如下表：

元  素	H	C	F	Cl	Br
含量較多的同 位素的質量數	1	12	19	35，37	79，81

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　  　　　　

下圖是測量帶電粒子質量的儀器工作原理示意圖。設法是某有機化合物的氣態分子導入圖中所示的容器A中，使它受到電子束轟擊，失去一個電子變成正一價的分子離子。分子離子從狹縫s₁以很小的速度進入電壓為U的加速電場區（初速不計），加速后，再通過狹縫s₂、s₃射入磁感強度為B的勻強磁場，方向垂直于磁場區的界面PQ。最后，分子離子打到感光片上，形成垂直于紙面而且平行于狹縫s₃的細線。若測得細線到狹縫s₃的距離為d

（1）導出分子離子的質量m的表達式。

（2）根據分子離子的質量數M可用推測有機化合物的結構簡式。若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48，寫出其結構簡式。

（3）現有某種含C、H和鹵素的化合物，測得兩個M值，分別為64和66。試說明原因，并寫出它們的結構簡式。

在推測有機化合物的結構時，可能用到的含量較多的同位素的質量數如下表：

元  素	H	C	F	Cl	Br
含量較多的同 位素的質量數	1	12	19	35，37	79，81

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　  　　　　

 

下圖是測量帶電粒子質量的儀器工作原理示意圖。設法是某有機化合物的氣態分子導入圖中所示的容器A中，使它受到電子束轟擊，失去一個電子變成正一價的分子離子。分子離子從狹縫s₁以很小的速度進入電壓為U的加速電場區（初速不計），加速后，再通過狹縫s₂、s₃射入磁感強度為B的勻強磁場，方向垂直于磁場區的界面PQ。最后，分子離子打到感光片上，形成垂直于紙面而且平行于狹縫s₃的細線。若測得細線到狹縫s₃的距離為d

（1）導出分子離子的質量m的表達式。

（2）根據分子離子的質量數M可用推測有機化合物的結構簡式。若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48，寫出其結構簡式。

（3）現有某種含C、H和鹵素的化合物，測得兩個M值，分別為64和66。試說明原因，并寫出它們的結構簡式。

在推測有機化合物的結構時，可能用到的含量較多的同位素的質量數如下表：

元  素	H	C	F	Cl	Br
含量較多的同 位素的質量數	1	12	19	35，37	79，81

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　  　　　　

 

下圖是測量帶電粒子質量的儀器工作原理示意圖。設法是某有機化合物的氣態分子導入圖中所示的容器A中，使它受到電子束轟擊，失去一個電子變成正一價的分子離子。分子離子從狹縫s₁以很小的速度進入電壓為U的加速電場區（初速不計），加速后，再通過狹縫s₂、s₃射入磁感強度為B的勻強磁場，方向垂直于磁場區的界面PQ。最后，分子離子打到感光片上，形成垂直于紙面而且平行于狹縫s₃的細線。若測得細線到狹縫s₃的距離為d

（1）導出分子離子的質量m的表達式。

（2）根據分子離子的質量數M可用推測有機化合物的結構簡式。若某種含C、H和鹵素的化合物的M為48，寫出其結構簡式。

（3）現有某種含C、H和鹵素的化合物，測得兩個M值，分別為64和66。試說明原因，并寫出它們的結構簡式。

在推測有機化合物的結構時，可能用到的含量較多的同位素的質量數如下表：

元  素	H	C	F	Cl	Br
含量較多的同 位素的質量數	1	12	19	35，37	79，81