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利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用.如圖所示的矩形區域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫.離子源產生的離子經靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應的收集器收集.整個裝置內部為真空.
已知被加速的兩種正離子的質量分別是m₁和m₂(m₁>m₂)，電荷量均為q.加速電場的電勢差為U，離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力，也不考慮離子間的相互作用.

(1)求質量為m₁的離子進入磁場時的速率v₁；
(2)當磁感應強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距.

（16分）利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用。如圖所示的矩形區域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫。離子源產生的離子，經靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應的收集器收集。整個裝置內部為真空。已知被加速的兩種正離子的質量分別是和，電荷量均為.加速電場的電勢差為，離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力，也不考慮離子間的相互作用。

(1)求質量為的離子進入磁場時的速率；

(2)當磁感應強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距.

利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用.如圖所示的矩形區域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫.離子源產生的離子經靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應的收集器收集.整個裝置內部為真空.

已知被加速的兩種正離子的質量分別是m₁和m₂(m₁>m₂)，電荷量均為q.加速電場的電勢差為U，離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力，也不考慮離子間的相互作用.

(1)求質量為m₁的離子進入磁場時的速率v₁；

(2)當磁感應強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距.

（16分）利用電場和磁場，可以將比荷不同的離子分開，這種方法在化學分析和原子核技術等領域有重要的應用。如圖所示的矩形區域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場，A處有一狹縫。離子源產生的離子，經靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場，運動到GA邊，被相應的收集器收集。整個裝置內部為真空。已知被加速的兩種正離子的質量分別是和，電荷量均為.加速電場的電勢差為，離子進入電場時的初速度可以忽略.不計重力，也不考慮離子間的相互作用。

(1)求質量為的離子進入磁場時的速率；
(2)當磁感應強度的大小為B時，求兩種離子在GA邊落點的間距.