題目列表(包括答案和解析)
如圖甲所示,在光滑水平面上,有一個(gè)粗細(xì)均勻的單匝正方形閉合線框abcd,邊長為L,質(zhì)量為m,電阻為R。在水平外力的作用下,線框從靜止開始沿垂直磁場邊界方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),穿過磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,磁場方向與線圈平面垂直,線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電流i的大小和運(yùn)動(dòng)時(shí)間t的變化關(guān)系如圖乙所示。則下列說法正確的是
A.線框的加速度大小為![]() |
B.線框受到的水平外力的大小![]() |
C.0~t1時(shí)間內(nèi)通過線框任一邊橫截面的電荷量為i1t1 |
D.0~t3間內(nèi)水平外力所做的功大于![]() |
A.線框的加速度大小為![]() |
B.線框受到的水平外力的大小![]() |
C.0~t1時(shí)間內(nèi)通過線框任一邊橫截面的電荷量為i1t1 |
D.0~t3間內(nèi)水平外力所做的功大于![]() |
如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,并開始計(jì)時(shí)t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,則下列說法錯(cuò)誤的是
A.在t0時(shí)刻線框恰好全部進(jìn)入磁場
B.線框右側(cè)邊MN剛進(jìn)磁場和剛出磁場時(shí),MN兩端電壓相等
C.0~t0時(shí)間內(nèi)流過線框某一截面的電荷量等于
D.線框從位置1進(jìn)入磁場到位置2過程中,線框中產(chǎn)生的電熱等于Fb
如圖甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量為m的單匝均勻正方形銅線框,邊長為a,總電阻為R,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,并開始計(jì)時(shí)t=0,若磁場的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0,并開始離開勻強(qiáng)磁場.此過程中v-t圖象如圖乙所示,則下列說法正確的是
A.在t0時(shí)刻線框恰好全部進(jìn)入磁場
B.線框右側(cè)邊MN剛進(jìn)磁場和剛出磁場時(shí),MN兩端電壓相等
C.0~t0時(shí)間內(nèi)流過線框某一截面的電荷量等于
D.線框從位置1進(jìn)入磁場到位置2過程中,線框中產(chǎn)生的電熱等于Fb
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