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解答：解：A與C同主族，A、C原子的最外層電子數(shù)之和等于B原子的次外層電子數(shù)，設(shè)A的最外層電子數(shù)為x，若B為第二周期元素，則2x=2，x=1，則A為H，B與D同主族，原子序數(shù)依次遞增，它們的核電荷數(shù)之和為32，原子最外層電子數(shù)之和為10，B為C，C為Na，D為Si，它們的核電荷數(shù)1+6+11+14=32，符合題意；
A、因硅有3個電子層，最外層電子數(shù)為4，則在周期表中的第三周期第ⅣA族，故A錯誤；
B、電子層數(shù)越多，半徑越大，在同一周期從左到右原子半徑在減小，則半徑關(guān)系為C＞D＞B＞A，故B錯誤；
C、二氧化碳是分子晶體，而二氧化硅中是原子晶體，物理性質(zhì)不同，故C錯誤；
D、因C+SiO₂

高溫  .

Si+2CO↑，2Na+2H₂0═2NaOH+H₂↑，即B單質(zhì)能置換出D單質(zhì)，C單質(zhì)能置換出A單質(zhì)，故D正確；
故選D．

點評：本題考查學(xué)生利用原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系來推斷元素，然后利用元素的電子排布分析位置及半徑，利用物質(zhì)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)來分析解答問題，推斷元素是解答本題的難點，應(yīng)學(xué)會利用假設(shè)和驗證的方法來解答，題目難度中等．