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 在如圖4的電路中，小燈炮A、B、C規(guī)格相同，當(dāng)閉合電鍵K時(shí)，小燈炮A、B、C的亮度變化情況可能是（          ）

A.A燈變亮，B燈變亮，C燈變暗

B.A燈變亮，B燈變暗，C燈變亮

C.A燈變暗，B燈變亮，C燈變暗

D.A燈變暗，B燈變暗，C燈變亮                          

圖4

一個(gè)質(zhì)子（氫核）和一個(gè)粒子（氦核），它們的電量之比為1：2，質(zhì)量之比為1：4，經(jīng)同一個(gè)回旋加速器（回旋加速器中的磁感強(qiáng)度不變）加速后，當(dāng)它們離開(kāi)加速器時(shí)，下列說(shuō)法中正確的是    （         ）

A.速度的大小相等                     B.動(dòng)量的大小相等           

C.動(dòng)量的大小之比為1：2                D.動(dòng)能之比為2：1

傳感器是一種采集信息的重要器件，圖3為測(cè)定壓力的電容式傳感器，將電容器、靈敏電流計(jì)（零刻度在中間）和電源串聯(lián)成閉合回路。當(dāng)壓力F作用于可動(dòng)電極的膜片上時(shí)，膜片產(chǎn)生形變，引起電容的變化，導(dǎo)致靈敏電流計(jì)指針偏轉(zhuǎn)。在對(duì)膜片開(kāi)始施加恒定的壓力到膜片穩(wěn)定的這段時(shí)間，靈敏電流表指針的偏轉(zhuǎn)情況為（電流從電流表正接線柱流入時(shí)指針向右偏）（    ）

A.靈敏電流表指針向右偏

B.靈敏電流表指針向左偏

C.靈敏電流表指針向不動(dòng)

D.不能判斷靈敏電流表指針向哪邊偏

以下說(shuō)法正確的是：(     )                                    

A.勻強(qiáng)電場(chǎng)中各處的場(chǎng)強(qiáng)相等，電勢(shì)也相等

B.場(chǎng)強(qiáng)為零的區(qū)域中，電勢(shì)處處相同

C.沿電場(chǎng)線方向電場(chǎng)強(qiáng)度一定越來(lái)越小

D.電勢(shì)降低的方向就是電場(chǎng)線的方向

如圖2所示，將一空的薄金屬圓筒開(kāi)口向下壓入水中，設(shè)水溫均勻且恒定，且筒內(nèi)空氣無(wú)泄漏，不計(jì)空氣分子間的相互作用，則被淹沒(méi)的金屬筒在緩慢下降過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)筒內(nèi)空氣體積在不斷減小，則下面說(shuō)法中正確是(      )

A.筒內(nèi)空氣的壓強(qiáng)在減小       B.筒內(nèi)空氣的溫度在升高         

C.筒內(nèi)空氣向外界放熱         D.筒內(nèi)空氣的內(nèi)能減小

圖2

如圖1所示，M、N兩點(diǎn)分別放置兩個(gè)等量異種電荷，A為它們連線的中點(diǎn)，B為連線上靠近N的一點(diǎn)，C為連線的中垂線上處于A點(diǎn)上方的一點(diǎn)，在A、B、C三點(diǎn)中（    ）

A.場(chǎng)強(qiáng)最小的點(diǎn)是A點(diǎn)，電勢(shì)最高的點(diǎn)是B點(diǎn)

B.場(chǎng)強(qiáng)最小的點(diǎn)是A點(diǎn)，電勢(shì)最高的點(diǎn)是C點(diǎn)

C.場(chǎng)強(qiáng)最小的點(diǎn)是C點(diǎn)，電勢(shì)最高的點(diǎn)是B點(diǎn)

D.場(chǎng)強(qiáng)最小的點(diǎn)是C點(diǎn)，電勢(shì)最高的點(diǎn)是A點(diǎn)                    

圖1

關(guān)于磁感應(yīng)強(qiáng)度，下列說(shuō)法中正確的是（     ）

A.由B=可知，B與F成正比，與IL成反比

B.雖然 B=，但一小段通電導(dǎo)體在某處不受磁場(chǎng)力，并不能說(shuō)明該處一定無(wú)磁場(chǎng)

C.通電導(dǎo)線在磁場(chǎng)中受力越大，說(shuō)明磁場(chǎng)越強(qiáng)

D.磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向就是該處通電導(dǎo)體所受安培力的方向

2007年度諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予了法國(guó)和德國(guó)的兩位科學(xué)家，以表彰他們發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻效應(yīng)”。基于巨磁電阻效應(yīng)開(kāi)發(fā)的用于讀取硬盤(pán)數(shù)據(jù)的技術(shù)，被認(rèn)為是納米技術(shù)的第一次真正應(yīng)用，在下列有關(guān)其它電阻應(yīng)用的說(shuō)法中，錯(cuò)誤的是（   ）

A.熱敏電阻可應(yīng)用于溫度測(cè)控裝置中

B.光敏電阻是一種光電傳感器

C.電阻絲可應(yīng)用于電熱設(shè)備中

D.電阻R＝可知電阻的大小由加在它兩端的電壓和通過(guò)它的電流決定

對(duì)一定量的氣體，下列說(shuō)法正確的是（  ）

A.氣體的體積是所有氣體分子的體積之和

B.氣體分子的熱運(yùn)動(dòng)越劇烈，氣體溫度就越高

C.氣體對(duì)器壁的壓強(qiáng)是由大量氣體分子的重力產(chǎn)生的

D.當(dāng)氣體膨脹時(shí)，氣體分子之間的勢(shì)能減小，因而氣體的內(nèi)能減少

磁鐵在高溫下或者受到敲擊時(shí)會(huì)失去磁性，根據(jù)安培的分子電流假說(shuō)，其原因是（ ）

A.分子電流消失　　　　　　　　　　　　　　 B.分子電流的取向變得大致相同

C.分子電流的取向變得雜亂　　　　 D.分子電流的強(qiáng)度減弱