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科目: 來源: 題型:多選題

8.納米技術是跨世紀的新技術,將激光束的寬度集中到納米范圍內,可修復人體已損壞的器官,對DNA分子進行超微型基因修復,把諸如癌癥等徹底根除.在上述技術中,人們主要利用了激光的(  )
A.單色性B.單向性C.亮度高D.粒子性

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科目: 來源: 題型:多選題

7.國家836計劃中的一個重點項目中所研究的X光激光(頻率范圍很窄的高強度X射線)有著廣泛的應用前景,用X光激光給細胞“照相”,以下激光的哪些特點屬于次要因素(  )
A.殺菌作用B.化學作用C.波長短D.能量高

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科目: 來源: 題型:多選題

6.如圖所示,長為L、傾角為θ的光滑斜面處于水平向右的勻強電場中.一電荷量為+q、質量為m的小球,以初速度v0由斜面底端的M點沿斜面向上滑,到達斜面底端N的速度仍為v0,則(  )
A.小球在N點的電勢能小于在M點的電勢能
B.M、N兩點的電勢差為$\frac{mgL}{q}$
C.電場強度等于$\frac{mgtanθ}{q}$
D.小球不一定是做勻速直線運動

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科目: 來源: 題型:計算題

5.如圖(甲)所示為電視機中顯像管的原理示意圖,電子槍中的燈絲加熱陰極而逸出電子,這些電子再經加速電場加速后,從O點進入偏轉磁場中,經過偏轉磁場后打到熒光屏MN上,使熒光屏發出熒光形成圖象,不計逸出電子的初速度和重力.已知電子的質量為m、電荷量為e,加速電場的電壓為U.偏轉線圈產生的磁場場分布在邊長為l的正方形abcd區域內,磁場方向垂直紙面,且磁感應強度隨時間的變化規律如圖乙所示.在每個周期內磁感應強度都是從-B0均勻變化到B0.磁場區域的左邊界的中點與O點重合,ab邊與OO′平行,右邊 界bc與熒光屏之間的距離為s.由于磁場區域較小,且電子運動的速度很大,所以在每個電子通過磁場區域的過程中,可認為磁感應強度不變,即為勻強磁場,不計電子之間的相互作用.

(1)求電子射出電場時的速度大小.
(2)為使所有的電子都能從磁場的bc邊射出,求偏轉線圈產生磁場的磁感應強度的最大值.
(3)熒光屏上亮線的最大長度是多少?

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科目: 來源: 題型:多選題

4.K-介子衰變的方程為K-→π-0,其中K-介子和π-介子帶負的元電荷e,π0介子不帶電.如圖所示,兩勻強磁場方向相同,以虛線MN為理想邊界,磁感應強度分別為B1、B2.今有一個K-介子沿垂直于磁場的方向射入勻強磁場B1中,其軌跡為圓弧AP,P在MN上,K-在P點時的速度為v,方向與MN垂直.在P點該介子發生了上述衰變.衰變后產生的π-介子沿v反方向射出,其運動軌跡為如圖虛線所示的“心”形圖線.則以下說法正確的是(  )
A.π-介子的運行軌跡為PENCMDP
B.π-介子運行一周回到P用時為$T=\frac{2πm}{{{B_2}e}}$
C.B1=4B2
D.π0介子作勻速直線運動

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科目: 來源: 題型:多選題

3.下列說法中,正確的是(  )
A.同一等勢面上的各點電勢相等,電場強度也相等
B.電場中的兩條電場線一定不會相交,但兩個電勢不等的等勢面有可能相交
C.在同一等勢面上移動電荷,電場力一定不做功
D.離孤立帶電導體越近的等勢面,其形狀越與導體表面相似;離孤立帶電導體越遠的等勢面,其形狀越接近于球面

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科目: 來源: 題型:多選題

2.如圖所示,電源的電動勢和內阻都保持一定,在外電路的電阻逐漸減小的過程中,有(  )
A.電源的路端電壓一定逐漸變小B.電源的輸出功率一定逐漸變小
C.電源內部消耗的功率一定逐漸變大D.電源供電效率可能變大

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科目: 來源: 題型:多選題

1.下列說法中正確的是(  )
A.實際的自由振動必然是阻尼振動
B.在外力作用下的振動是受迫振動
C.阻尼振動的振幅越來越小
D.受迫振動穩定后的頻率與自身物理條件無關

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科目: 來源: 題型:填空題

20.一個200匝、面積為20cm2 的圓線圈,放在勻強磁場中,磁場方向與線圈平面成30°角,磁感應強度在0.05s內由0.1T增加到0.5T,則初狀態穿過線圈的磁通量是10-4Wb,在0.05s內穿過線圈的磁通量的變化量是4×10-4wb,線圈中平均感應電動勢的大小是1.6V.

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科目: 來源: 題型:選擇題

19.將一點電荷由電場中的A點移到B點電場力對點電荷做的功為零,則對A、B兩點的電勢差U的大小的判斷中正確是(  )
A.U<0B.U>0C.U=0D.無法判斷

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