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如圖,在0≤x≤d的空間,存在垂直xOy平面的勻強磁場,方向垂直xOy平面向里.y軸上P點有一小孔,可以向y軸右側垂直于磁場方向不斷發射速率均為v、與y軸所成夾角θ可在0~180范圍內變化的帶負電的粒子.已知θ=45°時,粒子恰好從磁場右邊界與P點等高的Q點射出磁場,不計重力及粒子間的相互作用.求:
(1)磁場的磁感應強度;
(2)若θ=30°,粒子射出磁場時與磁場邊界的夾角(可用三角函數、根式表示);
(3)能夠從磁場右邊界射出的粒子在磁場中經過的區域的面積(可用根式表示).

【答案】分析:(1)根據θ=45°時,粒子恰好從磁場右邊界與P點等高的Q點射出磁場,粒子僅在洛倫茲力作用下做勻速圓周運動,由幾何關系確定已知長度與軌道半徑的關系,從而根據半徑公式,可求出磁場的感應強度.
(2)由已知入射角與半徑的長度,根據幾何關系,借助于三角形的正弦定理,可確定粒子射出磁場時與磁場邊界的夾角.
(3)根據不同的入射速度方向,畫出兩種臨界狀態:一是沿著正y軸方向入射的軌跡;另一是與磁場右邊界相切的軌跡.并由幾何公式求出經過的區域面積.
解答:解:(1)當θ=45°時,粒子恰好從磁場右邊界與P點等高的Q點射出磁場,
由幾何關系可得,d=Rcos45°
解得:
粒子僅在洛倫茲力作用下,則有:
所以,
(2)根據半徑的大小與入射角30°,可畫出右圖,
△AMd中,∠MdA=60°,AM=R,Ad=
則三角形正弦定理可得,
設粒子射出磁場時與磁場邊界的夾角為β,則有=
所以
(3)根據不同的入射速度方向,畫出兩種臨界狀態:一是沿著正y軸方向入射的軌跡;另一是與磁場右邊界相切的軌跡
因此能夠從磁場右邊界射出的粒子在磁場中經過的區域的面積=圖上方的扇形面積+下方菱形面積+右邊的三角形面積-下方的扇形面積
=下方菱形面積面積+右邊的三角形面積
即有:
點評:根據粒子在洛倫茲力作用下做勻速圓周運動,依據幾何特性作圖是解題的關鍵之處.是典型的數理結合的題型,是難題.
練習冊系列答案
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如圖,在0≤x≤d的空間,存在垂直xOy平面的勻強磁場,方向垂直xOy平面向里.y軸上P點有一小孔,可以向y軸右側垂直于磁場方向不斷發射速率均為v、與y軸所成夾角θ可在0~1800范圍內變化的帶負電的粒子.已知θ=45°時,粒子恰好從磁場右邊界與P點等高的Q點射出磁場,不計重力及粒子間的相互作用.求:
(1)磁場的磁感應強度;
(2)若θ=30°,粒子射出磁場時與磁場邊界的夾角(可用三角函數、根式表示);
(3)能夠從磁場右邊界射出的粒子在磁場中經過的區域的面積(可用根式表示).

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(2013貴州六校聯考)如圖,在0≤xd的空間,存在垂直xOy平面的勻強磁場,方向垂直xOy平面向里。y軸上P點有一小孔,可以向y軸右側垂直于磁場方向不斷發射速率均為v、與y軸所成夾角θ可在0~1800范圍內變化的帶負電的粒子。已知θ =450時,粒子恰好從磁場右邊界與P點等高的Q點射出磁場,不計重力及粒子間的相互作用。求:

(1)磁場的磁感應強度;

(2)若θ=300,粒子射出磁場時與磁場邊界的夾角 (可用三角函數、根式表示);

(3)能夠從磁場右邊界射出的粒子在磁場中經過的區域的面積(可用根式表示)。

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科目:高中物理 來源:2012~2013河北滄州市五校高三第二次聯考理綜物理試卷(解析版) 題型:計算題

如圖,在0≤x≤d的空間,存在垂直xOy平面的勻強磁場,方向垂直xOy平面向里。y軸上P點有一小孔,可以向y軸右側垂直于磁場方向不斷發射速率均為v、與y軸所成夾角θ可在0~1800范圍內變化的帶負電的粒子。已知θ=450時,粒子恰好從磁場右邊界與P點等高的Q點射出磁場,不計重力及粒子間的相互作用。求:

(1)磁場的磁感應強度;

(2)若θ=300,粒子射出磁場時與磁場邊界的夾角(可用三角函數、根式表示);

(3)能夠從磁場右邊界射出的粒子在磁場中經過的區域的面積(可用根式表示)。

 

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科目:高中物理 來源:2012-2013學年貴州省六校聯盟高三第一次聯考物理試卷(解析版) 題型:計算題

(18分)如圖,在0≤x≤d的空間,存在垂直xOy平面的勻強磁場,方向垂直xOy平面向里。y軸上P點有一小孔,可以向y軸右側垂直于磁場方向不斷發射速率均為v、與y軸所成夾角θ可在0~1800范圍內變化的帶負電的粒子。已知θ =450時,粒子恰好從磁場右邊界與P點等高的Q點射出磁場,不計重力及粒子間的相互作用。求

(1)磁場的磁感應強度;

(2)若θ=300,粒子射出磁場時與磁場邊界的夾角(可用三角函數、根式表示);

(3)能夠從磁場右邊界射出的粒子在磁場中經過的區域的面積(可用根式表示)。

 

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