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單匝閉合線框在勻強磁場中,繞垂直于磁場方向的轉軸勻速轉動,在轉動過程中,穿過線框的最大磁通量為Φm,線框中的最大感應電動勢為Em,下列說法中正確的是(  )

A.在穿過線框的磁通量為的時刻,線框中的感應電動勢為

B.在穿過線框的磁通量為的時刻,線框中的感應電動勢為

C.線框每轉動一周,線框中的感應電流方向改變一次

D.線框轉動的角速度為

BD


解析:

假設磁通量的表達式為Φ=Φmsinωt,則感應電動勢的表達式為e=Emcosωt.在穿過線框的磁通量為的時刻,,則線框中的感應電動勢為,選項A錯誤.在穿過線框的磁通量為的時刻,,則線框中的感應電動勢為,選項B正確.線圈在經過中性面位置時改變電流的方向,即線圈每轉動一周,感應電流方向改變兩次,選項C錯誤.由于Em=BSω=Φmω,所以,選項D正確.

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2008?北京)均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd,每邊長為L,總電阻為R,總質量為m,將其置于磁感強度為B的水平勻強磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內,且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行,當cd邊剛進入磁場時.
(1)求cd兩點間的電勢差大小;
(2)若此時線框加速度恰好為零,求線框下落的高度h所應滿足的條件.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?永康市模擬)均勻導線制成的單匝正方形閉合線框abcd,每邊長L=0.1m,總電阻R=0.1Ω,總質量為m=0.1kg.將其置于磁感強度B=1.0T的水平勻強磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內,且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行,取g=10m/s2
(1)當cd邊剛進入磁場時,線框做勻速直線運動,求線框下落的高度h;
(2)線框進入磁場過程中的電功率P;
(3)若磁場的寬度等于L,從cd剛進入磁場到ab完全離開磁場的過程中,試在答題卷的坐標紙中畫出cd兩點間的電勢差Ucd與時間的關系圖線,在圖象中注明關鍵點的數據(不要求書寫求解過程);
(4)為了減小下落的高度就能使線框剛進入磁場時就做勻速直線運動,三個同學各自提出了方案:
甲:用同種規格的導線,做成邊長為2L的單匝線框;
乙:用同種材料但粗一些的導線,做成邊長仍為L的單匝線框;
丙:用同種規格的導線,做成邊長仍為L的雙匝線框;
對上述三位同學的方案,請給出你的評價.

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科目:高中物理 來源:2011-2012學年江西省高三聯合考試理綜物理卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區,磁場區高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區.對此,下列說法中正確的是

A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應電流的方向為a→b→c→d→a        

B.線圈ab邊剛進入磁場時,a、b兩點間的電壓為

C.線圈在磁場以上,下落的高度為

D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產生的電能為2mgL

 

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區,磁場區高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區.對此,下列說法中正確的是

A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應電流的方向為abcda    

B.線圈ab邊剛進入磁場時,ab兩點間的電壓為

C.線圈在磁場以上,下落的高度為

D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產生的電能為2mgL

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科目:高中物理 來源:2012屆江西省贛州三中、于都中學高三聯合考試理綜物理卷(帶解析) 題型:單選題

如圖所示,由粗細均勻的導電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強磁場區,磁場區高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進入磁場區.對此,下列說法中正確的是

A.線圈ab邊剛進入磁場時,感應電流的方向為a→b→c→d→a
B.線圈ab邊剛進入磁場時,a、b兩點間的電壓為
C.線圈在磁場以上,下落的高度為
D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產生的電能為2mgL

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