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如圖甲所示，bacd為導體做成的框架，其平面與水平面成θ角，質量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個裝置放于垂直框架平面的變化磁場中，磁感應強度B的變化情況如圖乙所示，PQ能夠始終保持靜止，則0～t₂時間內，PQ受到的安培力F和摩擦力f隨時間變化的圖像一定錯誤的是(取平行斜面向上為正方向)

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖甲所示，bacd為導體做成的框架，其平面與水平面成θ角，質量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個裝置放于垂直框架平面的變化磁場中，磁感應強度B的變化情況如圖乙所示，PQ能夠始終保持靜止．試畫出0～t₂時間內PQ受到的安培力F隨時間變化的圖象（取沿斜面向上為正方向）．

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科目：高中物理 來源：2012-2013學年貴州省高三第二次月考理科綜合物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖甲所示，bacd為導體做成的框架，其平面與水平面成θ角，質量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個裝置放于垂直框架平面的變化磁場中，磁感應強度B的變化情況如圖乙所示，PQ能夠始終保持靜止，則0～t₂時間內，PQ受到的安培力F和摩擦力f隨時間變化的圖像可能正確的是(取平行斜面向上為正方向)