一質量為m,電荷量為q的帶正電離子,從圖示質譜儀的容器A下方的小孔
S1漂入電勢差為U的勻強電場,被加速后經孔S2、S3垂直于磁場方向(該方向垂直于紙面)進入磁感應強度為B的勻強磁場。在磁場中離子沿虛線所示軌跡運動,最后打在照相底片上的D處。
(1)求出離子經孔S2進入磁場時的速率。
(2)求出D位置到孔S3的距離。
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2gR |
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2μmg |
q |
A、適當選取初速度v0,小物塊有可能靜止在電場區內 | ||
B、無論怎樣選擇初速度v0,小物塊都不可能靜止在電場區內 | ||
C、要使小物塊穿過電場區域,初速度v0的大小應大于2
| ||
D、若小物塊能穿過電場區域,小物塊在穿過電場區的過程中,機械能減少3μmgL |
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絕緣水平面上固定一正點電荷Q,另一質量為m、電荷量為—q(q >0)的滑塊(可看作點電荷)從a點以初速皮沿水平面向Q運動,到達b點時速度為 零.已知a、b間距離為s,滑塊與水平面間的動摩擦因數為
,重力加速度為g.以下判斷正確的是 ( )
A.滑塊在運動過程中所受Q的庫侖力有可能大于滑動摩擦力
B.滑塊在運動過程的中間時刻, 速度的大小小于
C.此過程中產生的內能為
D.Q產生的電場中,a、b兩點間的電勢差為
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