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如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管。垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°。(忽略離子所受重力)

(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角Φ;

(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質量為16m的離子打在S2處,求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質量范圍。

 

(1)設帶電粒子經加速電場加速后的速度為v1,進入偏轉電場后的加速度為a,則:

F=eE0=ma②

2d=v1t③

由①②③④得E0=U0/d

得Φ=45°

(2)設粒子剛進入磁場時速度為v,則有:

洛倫茲力提供向心力有:

由⑤⑥得

(3)將4m16m代入R,得R1、R2,

,

將R1、R2代入得

由R′2=(2R12+(R′-R12

R1<R<R1得m<mx25m

分析:本題第(1)問考查了帶電粒子在電場中加速和偏轉的知識(即電偏轉問題),加速過程用動能定理求解,偏轉過程用運動的合成與分解知識結合牛頓第二定律和運動學公式求解;

第(2)問考查磁偏轉知識,先求進入磁場時的合速度v,再由洛倫茲力提供向心力求解R;

第(3)問考查用幾何知識解決物理問題的能力。

練習冊系列答案
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(2009?重慶)如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質量范圍.

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如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質量為16m的離子打在處。求之間的距離。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角

(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;

(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點處,質量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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如圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場.已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉電場場強E的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質量范圍.

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