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 如圖甲,兩光滑的平行導軌MONPO/Q,其中ON、O/Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點間連電阻R,導軌間距為L. 水平導軌處有兩個勻強磁場區域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和hgjk虛線包圍區),磁場方向垂直于導軌平面豎直向上,Ⅱ區是磁感強度的恒定的磁場,Ⅰ區磁場的寬度為x0,磁感應強度隨時間變化。一質量為m,電阻為R的導體棒垂直于導軌放置在磁場區中央位置,t=0時刻Ⅰ區磁場的磁感強度從1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導體棒在磁場力的作用下運動的v-t圖象如圖丙所示。

(1)求出t=0時刻導體棒運動加速度a。

(2)求導體棒穿過Ⅰ區磁場邊界過程安培力所做的功和將要穿出時刻電阻R的電功率。

(3)根據導體棒運動圖象,求棒的最終位置和在0-t2時間內通過棒的電量。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 (1)t=0時刻             (2分)

ab棒受到向左的安培力           (1分)

ab棒向左的加速度                    (1分) 

(2)t0/2時刻導體棒穿出磁場速度為v0,由動能定理,安培力的功為

                                        (2分)  

將要穿出磁場Ⅰ區時電動勢為

                     (2分)

                    (1分)

           

(3)設磁場Ⅱ區寬度為x1,棒在Ⅱ區任一時刻速度為vE=BLv ,             

棒受到向右安培力        加速度大小 (1分)

   (1分)

穿過磁場Ⅱ區全程      (1分)

                              

棒從斜面返回磁場Ⅱ初速度v0/2,同理可知,經過x1位移速度減為零,所以停在Ⅱ區右端

(2分)

又                    

0-t2時間內               

                            (3分)

 

練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲,兩光滑的平行導軌MON與PO’Q,其中ON、O’Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點間連電阻R,導軌間距為L.水平導軌處有兩個勻強磁場區域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和ghjk虛線包圍區),磁場方向垂直于導軌平面豎直向上,Ⅱ區是磁感強度B0的恒定磁場,Ⅰ區磁場的寬度為x0,磁感應強度隨時間變化.一質量為m,電阻為R的導體棒垂直于導軌放置在磁場區中央位置,t=0時刻Ⅰ區磁場的磁感強度從B1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導體棒在磁場力的作用下運動的v-t圖象如圖丙所示.
(1)求出t=0時刻導體棒運動的加速度a;
(2)求導體棒穿過Ⅰ區磁場的過程中安培力所做的功和ab棒離開Ⅰ區磁場后直到最終停止的過程中電阻R上產生的熱量.
(3)根據導體棒運動圖象,求棒的最終位置和在0-t2時間內通過棒的電量.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2010?南京模擬)如圖甲,兩光滑的平行導軌MON與PO′Q,其中ON、O′Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點間連電阻R,導軌間距為L.水平導軌處有兩個勻強磁場區域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和hgjk虛線包圍區),磁場方向垂直于導軌平面豎直向上,Ⅱ區是磁感強度B0的恒定的磁場,Ⅰ區磁場的寬度為x0,磁感應強度隨時間變化.一質量為m,電阻為R的導體棒垂直于導軌放置在磁場區中央位置,t=0時刻Ⅰ區磁場的磁感強度從B1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導體棒在磁場力的作用下運動的v-t圖象如圖丙所示.
(1)求出t=0時刻導體棒運動加速度a.
( 2)求導體棒穿過Ⅰ區磁場邊界過程安培力所做的功和將要穿出時刻電阻R的電功率.
(3)根據導體棒運動圖象,求棒的最終位置和在0-t2時間內通過棒的電量.

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科目:高中物理 來源:2010年江蘇省南京市三校聯考高三(下)調研物理試卷(解析版) 題型:解答題

如圖甲,兩光滑的平行導軌MON與PO′Q,其中ON、O′Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點間連電阻R,導軌間距為L.水平導軌處有兩個勻強磁場區域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和hgjk虛線包圍區),磁場方向垂直于導軌平面豎直向上,Ⅱ區是磁感強度B的恒定的磁場,Ⅰ區磁場的寬度為x,磁感應強度隨時間變化.一質量為m,電阻為R的導體棒垂直于導軌放置在磁場區中央位置,t=0時刻Ⅰ區磁場的磁感強度從B1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導體棒在磁場力的作用下運動的v-t圖象如圖丙所示.
(1)求出t=0時刻導體棒運動加速度a.
( 2)求導體棒穿過Ⅰ區磁場邊界過程安培力所做的功和將要穿出時刻電阻R的電功率.
(3)根據導體棒運動圖象,求棒的最終位置和在0-t2時間內通過棒的電量.

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科目:高中物理 來源:2012年江西省贛州市寧都中學高考物理模擬試卷(解析版) 題型:解答題

如圖甲,兩光滑的平行導軌MON與PO′Q,其中ON、O′Q部分是水平的,傾斜部分與水平部分用光滑圓弧連接,QN兩點間連電阻R,導軌間距為L.水平導軌處有兩個勻強磁場區域Ⅰ、Ⅱ(分別是cdef和hgjk虛線包圍區),磁場方向垂直于導軌平面豎直向上,Ⅱ區是磁感強度B的恒定的磁場,Ⅰ區磁場的寬度為x,磁感應強度隨時間變化.一質量為m,電阻為R的導體棒垂直于導軌放置在磁場區中央位置,t=0時刻Ⅰ區磁場的磁感強度從B1大小開始均勻減小至零,變化如圖乙所示,導體棒在磁場力的作用下運動的v-t圖象如圖丙所示.
(1)求出t=0時刻導體棒運動加速度a.
( 2)求導體棒穿過Ⅰ區磁場邊界過程安培力所做的功和將要穿出時刻電阻R的電功率.
(3)根據導體棒運動圖象,求棒的最終位置和在0-t2時間內通過棒的電量.

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