Question

【題目】在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定一個(gè)電荷量為+Q的點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗(yàn)電荷，該檢驗(yàn)電荷經(jīng)過P點(diǎn)時(shí)速度為v，圖中θ=60，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中（ ）

A. N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢

B. N點(diǎn)電勢為 -

C. P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的4倍

D. 檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為 -

Answer 1

【答案】BC

【解析】試題分析：據(jù)題意，在+Q形成的電場中，由于P點(diǎn)距離+Q較近，據(jù)沿電場方向電勢降低，故選項(xiàng)A錯(cuò)誤；負(fù)電荷從N點(diǎn)運(yùn)動到P點(diǎn)電場力做正功，則有：，N點(diǎn)電勢為：，故選項(xiàng)B正確；點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場強(qiáng)度為：，而距離ON是OP的兩倍，則P點(diǎn)場強(qiáng)是N的4倍，故選項(xiàng)C正確；檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)的電勢能為：，故選項(xiàng)D錯(cuò)誤。