太陽系外行星大多不適宜人類居住，繞恒星“Glicsc581”運行的行星“Gl﹣581c”卻很值得我們期待．該行星的溫度在0℃到40℃之間，質量是地球的6倍，直徑是地球的1．5倍．公轉周期為13個地球日．“Glicsc581”的質量是太陽質量的0．31倍．設該行星與地球均視為質量分布均勻的球體，繞其中心天體做勻速圓周運動，則（ ）
A. 在該行星和地球上發射衛星的第一宇宙速度相同
B. 如果人到了該行星，其體重是地球上的2
倍
C. 該行星與“Glicsc581”的距離是日地距離的
倍
D. 恒星“Glicsc581”的密度是地球的
倍
天天向上一本好卷系列答案
小學生10分鐘應用題系列答案科目：高中物理 來源：2016-2017學年山東省高一12月考物理試卷（解析版） 題型：計算題
如圖所示，水平地面上一重60N的物體，在與水平面成30°角斜向上的大小為20N的拉力F作用下做勻速運動，求地面對物體的支持力和地面對物體的摩擦力大小。
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科目：高中物理 來源：2016-2017學年寧夏高一上學期期中考物理試卷（解析版） 題型：選擇題
甲、乙兩物體均做直線運動，它們在某段時間內的位移x隨時間t變化的圖象如圖所示，則在0～t1時間內，下列判斷正確的是（ ）
A．甲物體做加速運動
B．甲、乙兩物體運動方向相同
C．甲的平均速度比乙的平均速度大
D．甲、乙兩物體的平均速度大小相等
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科目：高中物理 來源：2016-2017學年寧夏高一上學期期中考物理試卷（解析版） 題型：選擇題
物體在甲、乙兩地往返一次，從甲到乙的平均速度為v1，返回時的平均速度為v2，則物體往返一次平均速度的大小和平均速率分別是（ ）
A．0，
B．，
C．0， D．，
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科目：高中物理 來源：2017屆河北省高三上學期11.25周練物理試卷（解析版） 題型：選擇題
一微粒質量為m帶負電荷，電荷量大小是q，如圖所示，將它以一定初速度在磁場中P點釋放以后，它就做勻速直線運動，已知勻強磁場的磁感應強度為B，空氣對微粒的阻力大小恒為f，則關于微粒做勻速直運動下列描述中正確的是（ ）
A. 微粒不可能沿豎直方向上運動
B. 微粒可能沿水平方向上運動
C. 微粒做勻速運動時的速度v大小為
D. 微粒做勻速運動時的速度v大小為
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科目：高中物理 來源：2017屆河北省高三上學期11.25周練物理試卷（解析版） 題型：選擇題
如圖所示，一個質量為m的物體（可視為質點）以某一速度從A點沖上傾角為
的固定斜面，其運動的加速度大小為
，該物體在斜面上上升的最大高度為h，則在這個過程中物體的（ ）
A、整個過程中物體機械能守恒
B、重力勢能增加了
C、動能損失了
D、機械能損失了
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科目：高中物理 來源：2017屆河北省高三上學期11.25周練物理試卷（解析版） 題型：選擇題
兩塊大小、形狀完全相同的金屬平板平行放置，構成一平行板電容器，與它相連接的電路如圖所示，接通開關S，電源即給電容器充電．則（ ）
A．保持S接通，減小兩極板間的距離，則兩極板間電場的電場強度減小
B．保持S接通，在兩極板間插入一塊介質，則極板上的電荷量增大．
C．斷開S，減小兩極板間的距離，則兩極板間的電勢差增大
D．斷開S，在兩極板間插入一塊介質，則兩極板間的電勢差增大
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科目：高中物理 來源：2017屆甘肅省高三12月月考物理試卷（解析版） 題型：計算題
如圖，長木板ab的b端固定一檔板，木板連同檔板的質量為M=4．0kg，a、b間距離s=2．0m。木板位于光滑水平面上。在木板a端有一小物塊，其質量m=1．0kg，小物塊與木板間的動摩擦因數μ=0．10，它們都處于靜止狀態。現令小物塊以初速v0 =4．0m/s沿木板向右滑動，直到和檔板相撞。碰撞后，小物塊恰好回到a端而不脫離木板。求：
（1）最終二者的速度；
（2）碰撞過程中損失的機械能。
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科目：高中物理 來源：2016屆北京市東城區高三零模物理試卷（解析版） 題型：選擇題
利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器，廣泛應用于測量和自動控制等領域。圖中一塊長為a、寬為b、厚為c的半導體樣品薄片放在沿y軸正方向的勻強磁場中，磁感應強度大小為B。當有大小為I、沿x軸正方向的恒定電流通過樣品板時，會在與z軸垂直的兩個側面之間產生電勢差，這一現象稱為霍爾效應。其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累，于是上、下表面間建立起電場EH，同時產生霍爾電勢差UH。當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時，EH和UH達到穩定值，UH的大小與I和B滿足關系UH=kHIB，其中kH稱為霍爾元件靈敏度。已知此半導體材料是電子導電，薄片內單位體積中導電的電子數為n，電子的電荷量為e。下列說法中正確的是
A．半導體樣品的上表面電勢高于下表面電勢
B．霍爾元件靈敏度與半導體樣品薄片的長度a、寬度b均無關
C．在其他條件不變時，單位體積中導電的電子數n越大，霍爾元件靈敏度越高
D．在其他條件不變時，沿磁場方向半導體薄片的厚度c越大，霍爾元件靈敏度越高
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