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如題25圖,離子源A產生的初速為零、帶電量均為e、質量不同的正離子被電壓為U0的加速電場加速后勻速通過準直管,垂直射入勻強偏轉電場,偏轉后通過極板HM上的小孔S離開電場,經過一段勻速直線運動,垂直于邊界MN進入磁感應強度為B的勻強磁場。已知HO=d,HS=2d,=90°。(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉電場場強E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質量為m的離子在磁場中做圓周運動的半徑;
(3)若質量為4m的離子垂直打在NQ的中點S1處,質量為16m的離子打在S2處。求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質量范圍。
見解析
(1)
正離子被電壓為U0的加速電場加速后速度設為V1,設
對正離子,應用動能定理有eU0mV12
正離子垂直射入勻強偏轉電場,作類平拋運動

受到電場力F=qE0、產生的加速度為a=,即a=
垂直電場方向勻速運動,有2d=V1t,
沿場強方向:Y=at2
聯立解得E0
又tanφ=,解得φ=45°;
(2)
正離子進入磁場時的速度大小為V2
解得V2
正離子在勻強磁場中作勻速圓周運動,由洛侖茲力提供向心力,qV2B=
解得離子在磁場中做圓周運動的半徑R=2
(3)根據R=2可知,
質量為4m的離子在磁場中的運動打在S1,運動半徑為R1=2
質量為16m的離子在磁場中的運動打在S2,運動半徑為R2=2
又ON=R2-R1
由幾何關系可知S1和S2之間的距離ΔS=-R1
聯立解得ΔS=4(-)
由R′2=(2 R1)2+( R′-R1)2解得R′=R1
再根據R1<R<R1
解得m<mx<25m。
練習冊系列答案
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(1)ab邊剛進入磁場I時線框A1的速度v1
(2)ab邊進入磁場II后線框A1其重力的功率P
(3)從ab邊剛進入磁場II到ab邊剛穿出磁場II的過程中,線框中產生的焦耳熱Q

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一個負離子,質量為m,電量大小為q,以速率V垂直于屏S經過小孔O射入存在著勻強磁場的真空室中(如圖11)。磁感應強度B的方向與離子的運動方向垂直,并垂直于圖1中紙面向里。

(1)求離子進入磁場后到達屏S上時的位置與O點的距離。
(2)如果離子進入磁場后經過時間t到達位置P,證明:直線O與離子入射方向之間的夾角θ跟t的關系是

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(16分)如圖所示,相距的AB、CD兩直線間的區域存在著兩個大小不同、方向相反的有界勻強電場,其中PT上方的電場的場強方向豎直向下,PT下方的電場的場強方向豎直向上,在電場左邊界AB上寬為的PQ區域內,連續分布著電量為、質量為的粒子。從某時刻起由Q到P點間的帶電粒子,依次以相同的初速度沿水平方向垂直射入勻強電場中,若從Q點射入的粒子,通過PT上的某點R進入勻強電場后從CD邊上的M點水平射出,其軌跡如圖,若MT兩點的距離為。不計粒子的重力及它們間的相互作用。試求:
(1)電場強度
(2)在PQ間還有許多水平射入電場的粒子通過電場后也能垂直CD邊水平射出,這些入射點到P點的距離有什么規律?
(3)有一邊長為、由光滑絕緣壁圍成的正方形容器,在其邊界正中央開有一小孔S,將其置于CD右側,若從Q點射入的粒子經AB、CD間的電場從S孔水平射入容器中。欲使粒子在容器中與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出(粒子與絕緣壁碰撞時無能量和電量損失),并返回Q點,在容器中現加上一個如圖所示的勻強磁場,粒子運動的半徑小于,磁感應強度的大小還應滿足什么條件?

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電子質量為m、電量為e,從坐標原點O處沿xOy平面射入第一象限(包括x軸、y軸),射入時速度方向不同,速度大小均為v0,如圖所示.現在某一區域加方向向外且垂直于xOy平面的勻強磁場,并保證粒子均從O點進入磁場,磁感應強度為B,若這些電子穿過磁場后都能垂直射到熒光屏MN上,熒光屏與y軸平行,求:
(1)熒光屏上光斑的長度;
(2)所加磁場范圍的最小面積.

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(A)如圖所示,在邊長為L=1m的等邊三角形ACD區域內,存在磁感應強度為B=
3
3
T、方向垂直紙面向外的勻強磁場,現有一束比荷
q
m
=102C/kg帶正電粒子,從AC邊中點P以平行于CD邊的某一速度射入磁場,粒子的重力可忽略不計.
(1)若粒子進入磁場時的速度大小為v0=10m/s,求粒子在磁場中運動的軌道半徑;
(2)若粒子能從AC邊飛出磁場,求粒子在磁場中的運動時間;
(3)為使粒子能從CD邊飛出磁場,粒子進入磁場時的速度大小應滿足的條件?

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(1)在圖中正確畫出電子從進入勻強磁場到離開勻強磁場時的軌跡;(用尺和圓規規范作圖)
(2)求勻強磁場的磁感應強度.

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