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如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E,則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為    .在3t時(shí)刻線框到達(dá)2位置開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖b所示,線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度為   
【答案】分析:t=0,此時(shí)線框中MN產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)相當(dāng)于電源,線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓是路端電壓.
由速度圖象b看出,在t-3t時(shí)間內(nèi)線框做勻加速運(yùn)動(dòng),此過(guò)程,線框只受恒力F的作用,根據(jù)圖線可知,線圈進(jìn)入磁場(chǎng)和離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的初速度和受力情況都一樣,所以線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度和t時(shí)刻的速度相同.由牛頓第二定律求出勻加速運(yùn)動(dòng)的加速度,由速度公式求出t時(shí)刻的速度,即等于線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3的速度.
解答:解:t=0時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E,則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為U=
由題意,在3t時(shí)刻線框到達(dá)2位置開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng),速度與線圈進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)相同,所以線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度和t時(shí)刻的速度相同,設(shè)為v.
在t-3t時(shí)間內(nèi)線框做勻加速運(yùn)動(dòng),加速度為a=
由v=v+a?2t得v=v-a?2t=v-
故答案為:.v-
點(diǎn)評(píng):此題中圖象為速度--時(shí)間圖象,關(guān)鍵要通過(guò)圖象分析出線框進(jìn)入和穿出磁場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)情況完全相同.要注意當(dāng)通過(guò)閉合回路的磁通量發(fā)生變化時(shí),閉合回路中產(chǎn)生感應(yīng)電流,所以只有在進(jìn)入和離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中才有感應(yīng)電流產(chǎn)生.該題難度較大.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E,則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為
 
.在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖b所示,線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度為
 

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科目:高中物理 來(lái)源:河南五校2010屆高三模擬聯(lián)考理綜試題(物理) 題型:單選題

如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)并開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過(guò)程中v-t圖象如圖b所示,則

A. t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
B. 在t0時(shí)刻線框的速度為v0-2F t0/m
線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
D. 線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)位置3過(guò)程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb

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科目:高中物理 來(lái)源:河南五校2010屆高三模擬聯(lián)考理綜試題(物理) 題型:多選題

如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)并開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過(guò)程中v-t圖象如圖b所示,則

A. t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0

B. 在t0時(shí)刻線框的速度為v0-2F t0/m

C.線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大

D. 線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)位置3過(guò)程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb

 

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:填空題

如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E,則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為_(kāi)_____.在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖b所示,線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度為_(kāi)_____.
精英家教網(wǎng)

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科目:高中物理 來(lái)源:2009年上海市虹口區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:填空題

如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E,則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為    .在3t時(shí)刻線框到達(dá)2位置開(kāi)始離開(kāi)勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過(guò)程中v-t圖象如圖b所示,線框完全離開(kāi)磁場(chǎng)的瞬間位置3速度為   

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