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半導(dǎo)體材料硅中摻砷后成為N型半導(dǎo)體,它的自由電子的濃度大大增加,導(dǎo)電能力也大大增加.一塊N型半導(dǎo)體的樣品的體積為a×b×c,A’、C、A、C’為其四個側(cè)面,如圖所示.已知半導(dǎo)體樣品單位體積中的電子數(shù)為n,電阻率為ρ,電子的電荷量為e.將半導(dǎo)體樣品放在勻強磁場中,磁場方向沿Z軸正方向,并沿x方向通有電流I.求:
(1)加在半導(dǎo)體A’A兩個側(cè)面的電壓是多少?
(2)半導(dǎo)體中的自由電子定向移動的平均速率是多少?
(3)C、C’兩個側(cè)面哪個面電勢較高?
(4)若測得C、C’兩面的電勢差為U,勻強磁場的磁感應(yīng)強度是多少?

【答案】分析:(1)根據(jù)電阻定律和部分電路歐姆定律可以求出A、A′之間的電壓;
(2)由電流的微觀表達式:I=nesv,求出電子定向移動的速率;
(3)金屬導(dǎo)體中移動的是自由電子,當(dāng)電流的方向沿x方向時,電子向沿-x方向定向移動,受到洛倫茲力發(fā)生偏轉(zhuǎn),根據(jù)電子偏轉(zhuǎn)到哪一表面判斷電勢的高低.
(4)當(dāng)電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,根據(jù)電場力與洛倫茲力平衡,結(jié)合電流I=nevS,推導(dǎo)出U的大小與I和B以及元件厚度b之間的關(guān)系,即可求得磁感應(yīng)強度B.
解答:解:(1)沿x方向的電阻 R=
加在A、A′的電壓為 U=IR=
(2)電流I是大量自由電子定向移動形成的,由I=nabe得,電子的定向移動的平均速率為 =
(3)自由電子在磁場中受洛倫茲力后,向C′側(cè)面方向偏轉(zhuǎn),因此C′側(cè)面有多余的負電荷,C側(cè)面有多余的正電荷,建立了沿y軸負方向的勻強電場,C側(cè)面的電勢較高.
(4)自由電子受到的洛倫茲力與電場力平衡時,有
  q=qB
則磁感應(yīng)強度 B==UnaeI
答:
(1)加在半導(dǎo)體A’A兩個側(cè)面的電壓是
(2)半導(dǎo)體中的自由電子定向移動的平均速率是
(3)C側(cè)面的電勢較高.
(4)若測得C、C’兩面的電勢差為U,勻強磁場的磁感應(yīng)強度是
點評:本題考查對霍耳效應(yīng)的理解和分析能力,關(guān)鍵掌握左手定則判定洛倫茲力的方向,知道最終電子受電場力和洛倫茲力處于平衡.
練習(xí)冊系列答案
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(2006?東城區(qū)一模)半導(dǎo)體材料硅中摻砷后成為N型半導(dǎo)體,它的自由電子的濃度大大增加,導(dǎo)電能力也大大增加.一塊N型半導(dǎo)體的樣品的體積為a×b×c,A’、C、A、C’為其四個側(cè)面,如圖所示.已知半導(dǎo)體樣品單位體積中的電子數(shù)為n,電阻率為ρ,電子的電荷量為e.將半導(dǎo)體樣品放在勻強磁場中,磁場方向沿Z軸正方向,并沿x方向通有電流I.求:
(1)加在半導(dǎo)體A’A兩個側(cè)面的電壓是多少?
(2)半導(dǎo)體中的自由電子定向移動的平均速率是多少?
(3)C、C’兩個側(cè)面哪個面電勢較高?
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(1)在半導(dǎo)體AA兩個側(cè)面的電壓是多少??

(2)半導(dǎo)體中的自由電子定向移動的平均速率是多少??

(3)C、C′兩個側(cè)面哪個面電勢較高??

(4)若測得C、C′兩面的電勢差為U,勻強磁場的磁感應(yīng)強度是多少????

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半導(dǎo)體材料硅中摻砷后成為N型半導(dǎo)體,它的自由電子的濃度大大增加,導(dǎo)電能力也大大增加。一塊N型半導(dǎo)體的樣品的體積為a×b×c,A′、CAC′為其四個側(cè)面,如圖所示。已知半導(dǎo)體樣品單位體積中的電子數(shù)為n,電阻率為ρ,電子的電荷量為e。將半導(dǎo)體樣品放在勻強磁場中,磁場方向沿Z軸正方向,并沿x方向通有電流I。求:?

(1)在半導(dǎo)體AA兩個側(cè)面的電壓是多少??

(2)半導(dǎo)體中的自由電子定向移動的平均速率是多少??

(3)CC′兩個側(cè)面哪個面電勢較高??

(4)若測得CC′兩面的電勢差為U,勻強磁場的磁感應(yīng)強度是多少????

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   (1)在半導(dǎo)體A′A兩個側(cè)面的電壓是多少?

   (2)半導(dǎo)體中的自由電子定向移動的平均速率是多少?

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