Question

砷化鎵屬于第三代半導體，它能直接將電能轉變為光能，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發光二極管（LED）照明，是節能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結構如右圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是      ▲        （選填序號）。

A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同   B．第一電離能：As＞Ga

C．電負性:As＞Ga                D．砷和鎵都屬于p區元素

E．半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體

（2）砷化鎵是將(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到， 該反應在700℃進行，反應的方程式為：           ▲            。

AsH₃空間形狀為：      ▲       (CH₃)₃Ga中鎵原子雜化方式為：      ▲      。

（3）Ga的核外電子排布式為：       ▲        。

（4）AsH₃沸點比NH₃低，其原因是：         ▲        。

Answer 1

（1）BCDE

（2）(CH₃)₃Ga+AsH₃ GaAs+3CH₄

(或：)。三角錐，sp²

（3）1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

 

（4）NH₃分子間能形成氫鍵，而As電負性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵。

解析:

本題只是把選修3中新增知識點簡單羅列。（1）中要能識別砷化鎵晶胞結構和NaCl的簡單立方不同，其他選項均好判斷；（2）方程式可以看做取代，沒有化合價變化；（3）為記憶性；（4）考查的是氫鍵。