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精英家教網(wǎng) > 高中化學(xué) > 題目詳情

制備單質(zhì)硅的主要化學(xué)反應(yīng)如下：
①SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑ ②Si+2Cl₂

高溫

SiCl₄ ③SiCl₄+2H₂

高溫

Si+4HCl
下列對(duì)上述三個(gè)反應(yīng)的敘述中，錯(cuò)誤的是（　　）

A．①③為置換反應(yīng)

B．①②③均為氧化還原反應(yīng)

C．三個(gè)反應(yīng)的反應(yīng)物中硅元素均被氧化

D．①、③中的C和H₂均為還原劑

分析：A、置換反應(yīng)是一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng)生成另一種單質(zhì)和化合物的反應(yīng)，依據(jù)概念和反應(yīng)分析判斷；
B、氧化還原反應(yīng)是反應(yīng)前后有元素化合價(jià)變化的反應(yīng)；
C、氧化還原反應(yīng)中元素化合價(jià)升高失去電子被氧化；
D、氧化還原反應(yīng)中元素化合價(jià)升高的物質(zhì)做還原劑；

解答：解：A、①SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑；③SiCl₄+2H₂

高溫

Si+4HCl；反應(yīng)符合置換反應(yīng)的概念，故A正確；
B、①SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑，反應(yīng)前后有元素化合價(jià)變化； ②Si+2Cl₂

高溫

SiCl₄ 反應(yīng)前后有化合價(jià)變化； ③SiCl₄+2H₂

高溫

Si+4HCl，反應(yīng)前后有元素化合價(jià)變化；故B正確；
C、①SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑反應(yīng)前后硅元素化合價(jià)降低被還原； ②Si+2Cl₂

高溫

SiCl₄ 反應(yīng)前后硅元素化合價(jià)升高，被氧化； ③SiCl₄+2H₂

高溫

Si+4HCl，反應(yīng)前后硅元素化合價(jià)降低，被還原；故C錯(cuò)誤；
D、①SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑，反應(yīng)中碳化合價(jià)升高座還原劑；③SiCl₄+2H₂

高溫

Si+4HCl，反應(yīng)中氫氣中氫元素化合價(jià)升高做還原劑．故D正確；
故選C．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了氧化還原反應(yīng)的概念分析，特征應(yīng)用，硅及其化合物性質(zhì)的應(yīng)用，關(guān)鍵是元素化合價(jià)變化判斷是解題關(guān)鍵．

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相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅 ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl₃：Si+3HCl

300℃

SiHCl₃+H₂
③SiHCl₃與過(guò)量H₂在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
已知SiHCl₃能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為

SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑

SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑

．
（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量SiCl₄（沸點(diǎn)57.6℃）和HCl（沸點(diǎn)-84.7℃），提純SiHCl₃采用的方法為：

分餾

．
（3）用SiHCl₃與過(guò)量H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：
①裝置B中的試劑是

濃硫酸

，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：

使滴入燒瓶中的SiHCl₃氣化

．
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是

英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體

，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是

高溫下，普通玻璃會(huì)軟化

，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為

SiHCl₃+H₂

高溫

Si+3HCl

SiHCl₃+H₂

高溫

Si+3HCl

．
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及

先通一段時(shí)間H₂，將裝置中的空氣排盡

．
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫(xiě)字母代號(hào)）是

a．碘水b．氯水c．NaOH溶液d．KSCN溶液e．Na₂SO₃溶液．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：閱讀理解

晶體硅是一種重要的非金屬材料．請(qǐng)寫(xiě)出晶體硅的二種用途：

計(jì)算機(jī)芯片

、

太陽(yáng)能電池

．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃（常溫下為液態(tài)，易揮發(fā)）
③SiHCl₃與過(guò)量H₂在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
已知：
Ⅰ．SiHCl₃水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，請(qǐng)寫(xiě)出其水解的化學(xué)方程式：

SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl↑

．
Ⅱ．SiHCl₃ 在空氣中自燃．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為

SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑

SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑

．
（2）用SiHCl₃與過(guò)量H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

①裝置B中的試劑是

濃H₂SO₄

，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是

使SiHCl₃氣化

；
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是

D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體

，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為

SiHCl₃+H₂

高溫

Si+3HCl

SiHCl₃+H₂

高溫

Si+3HCl

；
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及

先通一段時(shí)間H₂，將裝置中的空氣排盡

；
④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法：

取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解，再滴加氯水和KSCN（aq），若出現(xiàn)紅色說(shuō)明含F(xiàn)e，若不出現(xiàn)紅色說(shuō)明不含F(xiàn)e．

．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃：Si+3HCl

SiHCl₃+H₂。
③SiHCl₃與過(guò)量的H₂在1000～1100℃時(shí)反應(yīng)制得純硅。
已知SiHCl₃（沸點(diǎn)33.0℃）能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為_(kāi)___________________。
（2）用SiHCl₃與過(guò)量的H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置已略去）：

①裝置B中的試劑是______________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_______________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)______________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫(xiě)字母代號(hào)）是_____________。
a.碘水 b.氯水 c.NaOH溶液 d.KSCN溶液 e.Na₂SO₃溶液

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2013屆江西省南昌二中高三第一次考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：填空題

(10分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。請(qǐng)寫(xiě)出晶體硅的二種用途：______、______
制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃(常溫下為液態(tài)，易揮發(fā))
③SiHCl₃與過(guò)量Ｈ₂在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅。
已知:Ⅰ.SiHCl₃水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，請(qǐng)寫(xiě)出其水解的化學(xué)方程式：___________。
Ⅱ.SiHCl₃在空氣中自燃。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　。
（2）用SiHCl₃與過(guò)量Ｈ₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）

①裝置Ｂ中的試劑是　　　　，裝置Ｃ中的燒瓶需要加熱，其目的是______________，
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置Ｄ中觀察到的現(xiàn)象是　　　　　　　　　　　　　　　_　　，
裝置Ｄ中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　　___　　，
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度
以及　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　_____________　，
④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:_________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2013屆重慶市高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：實(shí)驗(yàn)題

（18分）晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl₃：Si＋3HCl　　　　SiHCl₃＋Ｈ₂

③SiHCl₃與過(guò)量Ｈ₂在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅。

已知SiHCl₃能與Ｈ₂Ｏ強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為　　　　　　　　　　　　　　　　　。

（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量SiCl₄（沸點(diǎn)57.6℃）和HCl（沸點(diǎn)－84.7℃），提純SiHCl₃采用的方法為：　　　　　　　　　　　　。

（3）用SiHCl₃與過(guò)量Ｈ₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：

①裝置Ｂ中的試劑是　　　　　　　　，裝置Ｃ中的燒瓶需要加熱，其目的是：　　　　　　　　　。

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置Ｄ中觀察到的現(xiàn)象是　　　　　　　，裝置Ｄ不能采用普通玻璃管的原因是　　　　　，裝置Ｄ中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為　　　　　　　　　　　　　　　。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及　　　　。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫(xiě)字母代號(hào)）是　　　　　　　　　　

ａ．碘水ｂ．氯水ｃ．ＮaＯＨ溶液ｄ．KSCN溶液ｅ．Ｎa₂ＳＯ₃溶液

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