Question

【題目】用SiHCl3在加熱條件下與過量H2反應制備純硅的裝置如圖（熱源及夾持裝置略去）：

已知：SiHCl3沸點為33℃，能與和H2O強烈反應，在空氣中易自燃；

請問答：

（1）依次連接的合理順序為__。

（2）操作時應先打開裝置__（選填“C”或“D”）中分液漏斗的旋塞，理由是__。

Answer 1

【答案】DBCAE或DBCABE D SiHCl3在空氣中易自燃，實驗時先通一段時間氫氣排除裝置內空氣

【解析】

A裝置主要是SiHCl3與過量H2在加熱條件下反應制備純硅，B主要是干燥氣體，C主要是將SiHCl3轉變為氣體在A中反應，D是氫氣發生裝置，E尾氣處理裝置。

⑴先是氫氣發生裝置，再是干燥裝置，再是將汽化裝置，再是反應裝置，再是尾氣處理裝置，也可以先干燥后再處理尾氣，因此依次連接的合理順序為DBCAE或DBCABE；故答案為：DBCAE或DBCABE。

⑵由于SiHCl3沸點為33℃，能與和H2O強烈反應，在空氣中易自燃，整個裝置需要先排除裝置內空氣，因此操作時應先打開裝置D中分液漏斗的旋塞，理由是SiHCl3在空氣中易自燃，實驗時先通一段時間氫氣排除裝置內空氣；故答案為：D；SiHCl3在空氣中易自燃，實驗時先通一段時間氫氣排除裝置內空氣。