Question

8．W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數變化如圖所示．已知W的一種核素的質量數為18，中子數為10；X和Ne原子的核外電子數相差1；Y的單質是一種常見的、半導體材料；Z原子得電子能力是同周期主族元素中最大的．
（1）X位于元素周期表中第三周期第IA族；W的元素符號為O；
（2）X的單質和Y的單質相比，熔點較高的是Si（寫化學式）；Z的氣態氫化物和溴化氫相比較穩定的是HCl（寫化學式）；
（3）Y與Z形成的化合物和足量水反應，生成一種弱酸和一種強酸，該反應的化學方程式是：SiCl₄+3H₂O=H₂SiO₃↓+4HCl；
（4）在25C、10lkPa下，已知Y的氣態氫化物在氧氣中完全燃燒后恢復至原狀態，平均每轉移lmol電子放出190.0kJ的熱量，則1mol Y氣態氫化物完全燃燒后恢復至原狀態時，放出的熱量為：1520kJ．

Answer 1

分析 W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，W的一種核素的質量數為18，中子數為10，則其質子數為18-10=8，故W為O元素；X和Ne原子的核外電子數相差1，且原子半徑大于氧，所以X為Na元素；Y的單質是一種常見的半導體材料，原子序數大于Na，故Y為Si；Z的得電子能力是同周期主族元素中最大的，則Z為第ⅤⅡA族元素，原子序數大于Si，所以Z為Cl元素，據此解答．

解答 解：W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，W的一種核素的質量數為18，中子數為10，則其質子數為18-10=8，故W為O元素；X和Ne原子的核外電子數相差1，且原子半徑大于氧，所以X為Na元素；Y的單質是一種常見的半導體材料，原子序數大于Na，故Y為Si；Z的得電子能力是同周期主族元素中最大的，則Z為第ⅤⅡA族元素，原子序數大于Si，所以Z為Cl元素．
（1）X為Na元素，位于元素周期表中第三周期第IA族；W的元素符號為O，
故答案為：三、IA；O；
（2）X單質為鈉，屬于金屬晶體，其熔點比較低，Y的單質為硅，屬于原子晶體，沸點高于Na；由于非金屬性Cl＞Br，故氫化物穩定性HCl＞HBr，
故答案為：Si；HCl；
（3）Y和Z形成的化合物為SiCl₄，和足量的水反應，生成一種弱酸和一種強酸，應得到硅酸與HCl，該反應的化學方程式：SiCl₄+3H₂O=H₂SiO₃↓+4HCl，
故答案為：SiCl₄+3H₂O=H₂SiO₃↓+4HCl；
（4）Y是硅元素，其氫化物為SiH₄，在氧氣中燃燒發生反應：SiH₄+2O₂═SiO₂+2H₂O，平均每轉移lmol電子時參加反應的為SiH₄為$\frac{1mol}{8}$=0.125mol，則1molSiH₄反應時放出的熱量為190.0kJ×$\frac{1mol}{0.125mol}$=1520kJ，
故答案為：1520kJ．

點評 本題考查位置結構性質關系應用，推斷元素是解題關鍵，側重對化學用語與元素周期律的考查，有利于學生對基礎知識的鞏固，難度中等．