【題目】圖為周期表中短周期的一部分．已知a原子的最外層上的電子數目是次外層電子數目的一半，下列說法中不正確的是（ ） 
A.元素a的最高價氧化物的水化物的酸性比b弱
B.元素a的原子半徑比d的大
C.元素a的單質在空氣中燃燒會導致“溫室效應”
D.元素a單質是一種良好的半導體材料
【答案】C
【解析】解：元素為短周期元素，根據a元素的原子結構特點和四種元素在周期表中的相對位置可知a為Si元素，b為P元素，d為N元素，c為S元素，則
A．同周期元素從左到右元素的非金屬性逐漸增強，對應的最高價氧化物的水化物的酸性增強，則元素a的最高價氧化物的水化物的酸性比b弱，故A正確；
B．根據a、d在周期表中的位置可知，a比d原子核外多一個電子層，核外電子層數越多，原子半徑越大，故B正確；
C．a為Si元素，與氧氣的反應產物為二氧化硅，不是導致溫室效應的物質，故C錯誤；
D．a為Si元素，是一種良好的半導體材料，故D正確．
故選C．
短周期元素，a原子的最外層上的電子數目是次外層電子數目的一半，a可能為Li或Si，如為Li，不符合題意，則a為Si，根據四種元素的相對位置可知b為P元素，d為N元素，c為S元素，根據元素周期律的遞變規律結合元素對應的單質、化合物的性質判斷．
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【題目】下列各組性質比較中，不正確的是
A. 穩定性：CH4>NH3 B. 堿性：NaOH>Mg（OH）2
C. 氧化性：F2> O2 D. 酸性：HClO4>H2SO4
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【題目】一定條件下，H2O2在水溶液中發生分解反應：2H2O2 
2H2O+O2↑
反應過程中，測得不同時間H2O2的物質的量濃度如表：
t/min | 0 | 20 | 40 | 60 | 80 |
c（H2O2）/molL﹣1 | 0.80 | 0.40 | 0.20 | 0.10 | 0.05 |
（1）H2O2的分解反應氧化還原反應（填“是”或“不是”）．要加快該反應的速率，可采取的方法有 ．
（2）該分解反應0─20min的平均反應速率v（H2O2）為molL﹣1 min﹣1 ．
（3）如果反應所用的H2O2溶液為100mL，則共產生O2g．
A.0.08
B.0.16
C.1.2
D.2.4．
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【題目】下列敘述正確的是
A. Fe與稀HNO3、稀H2SO4反應均有氣泡產生，說明Fe與兩種酸均發生置換反應
B. 足量的Fe在Cl2中燃燒生成FeCl2和FeCl3
C. 先后將等物質的量的Fe2O3和Fe分別溶于同一稀鹽酸時無氣體放出
D. Fe2O3
FeCl3(aq) 
無水FeCl3，在給定的條件下能實現轉化
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【題目】有4種碳骨架如下的烴，下列說法正確的是（ ） 
①a和d是同分異構體
②b和c是同系物
③a和d都能發生加聚反應
④只有b和c能發生取代反應．
A.①②
B.①④
C.②③
D.①②③
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【題目】中草藥秦皮中含有七葉樹內酯，其結構簡式為
，具有抗菌作用。若1 mol七葉樹內酯分別與濃溴水和NaOH溶液完全反應，則消耗Br2和NaOH的物質的量分別為( )
A. 3 mol、2 mol B. 3 mol、3 mol C. 2 mol、2 mol D. 3 mol、4 mol
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【題目】鈦(Ti)被譽為21世紀金屬。冶煉鈦的主要原料是含Fe2O3的鈦鐵礦(FeTiO3)，其生產過
程如圖：
已知：TiOSO4可溶于水且易水解，H2TiO3難溶于水。試回答下列問題：
（1）步驟②的主要實驗操作是冷卻、結晶、_________（填操作名稱）；步驟④在實驗室中常將試劑置于___________（填儀器名稱）中加強熱。
（2）步驟③中加入熱水的作用是__________________________________。
（3）步驟④中硫酸亞鐵晶體(FeSO47H2O)在空氣中煅燒生成鐵紅、水和三氧化硫，寫出該反應的化學方程式______________________________________________________________。
（4）步驟②所得到的硫酸亞鐵晶體(FeSO47H2O)是目前工業上處理含鉻有毒廢水常用的化學試劑，二者反應后(Cr由+6價轉化為+3價)可以轉化為有重要工業價值的鐵氧體復合氧化物(常用FeOFeyCrxO3表示)。欲制備該鐵氧體復合氧化物，試求在酸性的含鉻廢水中，加入FeSO47H2O的物質的量應為廢水中六價鉻(相當于CrO3)的物質的量的__________倍。
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【題目】砷化鎵（GaAs）是優良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：
（1）寫出基態As原子的核外電子排布式________________________。
（2）根據元素周期律，原子半徑Ga_____________As，第一電離能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立體構型為____________________，其中As的雜化軌道類型為_________。
（4）GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是_____________________。
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρg·cm-3，其晶胞結構如圖所示。該晶體的類型為________________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質量分別為MGa g·mol-1和MAs g·mol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為____________________。
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