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GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料，其性能比硅更優越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

（1）Ga和As的最外層電子數分別是：Ga________、As________。

（2）GaAs中Ga和As的化合價分別是：Ga________價、As________價。

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料，該化合物半導體材料的化學式可表示為________。

(1)3  5  (2)+3  -3  (3)SiC

解析：(1)Ga、As均為主族元素，故最外層電子數等于族序數。

(2)Ga顯正價數等于最外層電子數，As顯負價：-(8-5)=-3價。

(3)C、Si為ⅣA族元素，C顯+4價，Si顯-4價，故C、Si原子個數比為1∶1。

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結構如圖．試回答：
（1）鎵的基態原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1
．
（2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數為
4
4
，與同一個鎵原子相連的砷原子成的空間構型為
正四面體
正四面體
．
（3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
． （用氫化物分子式表示）
（4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．
（5）比較二者的第一電離能：As
＞
＞
Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（6）下列說法正確的是
BCD
BCD
（填字母）．
A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負性：As＞Ga       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．

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科目：高中化學 來源： 題型：

GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料，其性能比硅更優越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

（1）Ga和As的最外層電子數分別是：Ga________、As________。

（2）GaAs中Ga和As的化合價分別是：Ga________價、As________價。

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料，該化合物半導體材料的化學式可表示為________。

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年河南省鄭州市第四中學高二下學期期中考試化學試卷（帶解析） 題型：填空題

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發光二極管(LED)。目前市售LED晶片，材質基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。砷化鎵的晶胞結構如圖。試回答：

(1)鎵的基態原子的電子排布式是_______。
(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數為______，與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為______。
(3)下列說法正確的是_________(填字母)。
A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同
B.第一電離能：As<Ga
C.電負性：As>Ga
D.GaP與GaAs互為等電子體
(4)N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是_________。
(5)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為________。

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科目：高中化學 來源：2014屆河南省鄭州市高二下學期期中考試化學試卷（解析版） 題型：填空題

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發光二極管(LED)。目前市售LED晶片，材質基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。砷化鎵的晶胞結構如圖。試回答：

(1)鎵的基態原子的電子排布式是_______。

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數為______，與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為______。

(3)下列說法正確的是_________(填字母)。

A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同

B.第一電離能：As<Ga

C.電負性：As>Ga

D.GaP與GaAs互為等電子體

(4)N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是_________。

(5)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為________。

 

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