Question

砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：

（1）寫出基態(tài)As原子的最外層電子的電子排布圖________________________。

（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga______As，第一電離能Ga_____As。（填“大于”或“小于”）

（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為____________________，其中As的雜化軌道類型為_________。

（4）GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，其原因是_____________________。

（5）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，密度為ρg·cm?3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為________________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa g·mol?1和MAs g·mol?1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為____________________。

Answer 1