【題目】已知反應A（g） + B（g）=== 2C（g）在某段時間內以A的濃度變化表示的化學反應速率為0.5mol L—1 min—1，則此段時間內以C的濃度變化表示的化學反應速率為( )
A. 0.5mol L—1 min—1B. 1 mol L—1 min—1
C. 2 mol L—1 min—1D. 3 mol L—1 min—1
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【題目】5種物質已按沸點由低到高順序排列)，則正己烷最可能插入的位置是（ ）
① | ② | ③ | ④ | ⑤ |
甲烷 | 乙烯 | 戊烷 | 2-甲基戊烷 | 甲苯 |
A.③④之間B.②③之間C.④⑤之間D.⑤之后
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【題目】乙基環己烷常用作氣相色譜對比樣品，也用于有機合成。
(1)乙基環己烷(C8H16)脫氫制苯乙炔(C8H6)的熱化學方程式如下：
①C8H16(l)
C8H10(l)+3H2(g) ΔH1＞0
②C8H10(l)C8H6(l)+2H2(g) ΔH2＝a kJ·mol-1
③C8H6(l)+5H2(g)C8H16(l) ΔH3＝b kJ·mol-1
則反應①的ΔH1為__________(用含a、b的代數式表示)，有利于提高上述反應①的平衡轉化率的條件是____(填字母)。
A．高溫高壓 B．低溫低壓 C．高溫低壓 D．低溫高壓
(2)不同壓強和溫度下乙基環己烷的平衡轉化率如下圖所示。
①在相同壓強下升高溫度，未達到新平衡前，v正____(填“大于”“小于”或“等于”)v逆。
②研究表明，既升高溫度又增大壓強，C8H16(l)的轉化率也升高，理由可能是____。
(3)t ℃，向恒容密閉反應器中充入1．00 mol C8H16(l)進行催化脫氫，測得液態C8H10(l)和C8H6(l)的產率x1和x2(以物質的量分數計)隨時間變化關系如下圖所示。
①在8 h時，反應體系內氫氣的量為_____mol(忽略其他副反應)，液態C8H16(l)的轉化率是_________。
②x1顯著低于x2的原因是_____________。
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【題目】一定條件下，在體積一定的密閉容器中加入1 mol N2和3 mol H2發生反應：
N2+ 3H2
2NH3（正反應是放熱反應）。下列有關說法正確的是（ ）
A. 降低溫度可以加快反應速率
B. 達到化學反應限度時，生成2mol NH3
C. 向容器中再加入N2可以加快反應速率
D. 1mol N2和3mol H2的總能量低于2mol NH3的總能量
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【題目】工業上用電解熔融氧化鋁的方法制取金屬鋁。
(1)請寫出反應的化學方程式_____________________________________________。
(2)現欲冶煉270噸鋁，至少需要多少噸氧化鋁？__________________________
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【題目】環境中常見的重金屬污染物有汞、鉛、錳、鉻、鎘。處理工業廢水中含有的
和
常用的方法是還原沉淀法，該法的工藝流程為
Cr3＋
Cr(OH)3。
其中第①步存在平衡：2 (黃色)＋2H＋
(橙色)＋H2O。
(1)寫出第①步反應的平衡常數表達式：_________________________________。
(2)關于第①步反應，下列說法正確的是________(填序號)。
A．通過測定溶液的pH可以判斷反應是否已達到平衡狀態
B．該反應為氧化還原反應
C．在強酸性環境下，溶液的顏色為橙色
(3)第②步反應中，還原0.1 mol，需要________mol FeSO4·7H2O。
(4)第③步反應除生成Cr(OH)3沉淀外，還可能生成的沉淀為________。
(5)在溶液中存在以下沉淀溶解平衡：Cr(OH)3(s)Cr3＋(aq)＋3OH－(aq)。常溫下，Cr(OH)3的溶度積常數Ksp＝10－32，當溶液中Cr3＋的濃度降至10－5mol·L－1，認為Cr3＋已經完全沉淀。現將第③步反應后溶液的pH調至4，請通過計算說明Cr3＋是否沉淀完全(請寫出計算過程)。____________
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【題目】RFC是一種將水電解技術與氫氧燃料電池技術相結合的可充電電池。如圖為RFC工作原理示意圖，下列有關說法正確的是
A. 圖甲把化學能轉化為電能，圖乙把電能轉化為化學能，水得到了循環使用
B. 當有0.1 mol電子轉移時，a極產生0.56 L O2(標準狀況下)
C. c極上發生的電極反應為O2＋4H＋＋4e－===2H2O
D. 圖乙中電子從c極流向d極，提供電能
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【題目】一定條件下，纖維素與乙酸酐反應可以制取醋酸纖維，同時還有乙酸生成，請寫出化學方程式__________________________ ，化學反應類型_________________。已知某纖維乙酸酯的平均相對分子質量為311040，則對應的纖維素分子中平均含有的葡萄糖結構單元數(即聚合度n)是___________。
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【題目】砷化鎵（GaAs）是優良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：
（1）寫出基態As原子的核外電子排布式________________________。
（2）根據元素周期律，原子半徑Ga_____________As，第一電離能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立體構型為____________________，其中As的雜化軌道類型為_________。
（4）GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是_____________________。
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρg·cm-3，其晶胞結構如圖所示。該晶體的類型為________________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質量分別為MGa g·mol-1和MAs g·mol-1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為____________________。
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