Question

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲    。在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為   ▲   。在四大晶體類型中，GaN屬于  ▲  晶體。

⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有    ▲   的原子或離子

⑶CuCl₂溶液與乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配離子：請回答下列問題：

① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是   ▲  。

②SO₂分子的空間構型為  ▲ 。與SnCl₄互為等電子體的一種離子的化學式為  ▲

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點高的多，原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有   ▲   。

a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結構如上圖所示，其中Cl原子的配位數為    ▲  。

 

Answer 1

【答案】

（12分）

⑴1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹（或[Ar]3d¹⁰4s²4p¹）（1分）

正四面體（1分）原子晶體（1分）

⑵能夠接受孤電子對的空軌道（1分）

⑶①  O >N >H（1分）

②V形 （1分）     SO₄^2-、SiO₄^4-等（1分）

③sp³雜化 （1分）  乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵（1分）

④abd  （2分）         ⑤4（1分）

【解析】