A.熔點：金剛石＞碳化硅＞晶體硅 B.熔點：金剛石＞晶體硅＞碳化硅
C.三種晶體中的單元都是正四面體結構 D.三種晶體都是原子晶體且均為絕緣體
科目：高中化學 來源： 題型：
2004年9月3日英國《自然》雜志報道，碳化硅是已知最硬的物質之一，其單晶體可制作半導體材料。但正是由于它硬度高，熔化及鍛制的過程相當費勁，而且制成的晶片容易產生瑕疵，如雜質、氣泡等，這些物質會嚴重影響或削弱電流。因此，碳化硅一直無法被用來制造芯片。日本研究人員稱，他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法，使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠。下列有關碳化硅（SiC）的有關說法錯誤的是
A. 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體
B. 碳化硅是一種新型的無機非金屬材料
C. 碳化硅的熔點比晶體硅高
D. 制取碳化硅的反應：SiO2＋3C
SiC＋2CO↑中，SiO2是氧化劑，C是還原劑
查看答案和解析>>
湖北省互聯網違法和不良信息舉報平臺 | 網上有害信息舉報專區 | 電信詐騙舉報專區 | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區 | 涉企侵權舉報專區
違法和不良信息舉報電話：027-86699610 舉報郵箱：58377363@163.com
