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自然界中已發(fā)現(xiàn)的100多種元素里,金屬元素約占      ,其中含量最多的元素是      ,含量最多的金屬元素是      。金屬導(dǎo)電靠      ,電解質(zhì)溶液導(dǎo)電靠     ,金屬導(dǎo)電能力隨溫度升高而       ,溶液導(dǎo)電能力隨溫度升高而       
    氧 鋁  自由電子 陰、陽離子 減弱 增強(qiáng)
金屬導(dǎo)電是由于金屬晶體中存在自由移動(dòng)的電子,而電解質(zhì)溶液的導(dǎo)電是溶液中的陰、陽離子在外加電場的作用下做定向移動(dòng)。溫度升高時(shí),金屬晶體內(nèi)部的金屬陽離子運(yùn)動(dòng)速度加快,使電子的傳遞受影響,導(dǎo)電性減弱。溫度升高時(shí),電解質(zhì)溶液中的自由移動(dòng)的離子運(yùn)動(dòng)速率加快,導(dǎo)電性增強(qiáng)。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列有關(guān)金屬晶體的說法中不正確的是(    )
A.金屬晶體是一種“巨分子”
B.“電子氣”為所有原子所共有
C.簡單立方堆積的空間利用率最低
D.鉀型堆積的空間利用率最高

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

碳化硅是一種類似金剛石的晶體,其中碳原子和硅原子的位置是交替的,在下列三種晶體:①金剛石,②晶體硅,③碳化硅中,它們的熔點(diǎn)從高到低的順序是
A.①③②B.②③①
C.③①②D.②①③

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題:
物質(zhì)
NaF
NaCl
NaBr
NaI
NaCl
KCl
RbCl
CsCl
熔點(diǎn)/℃
995
801
755
651
801
776
715
646
物質(zhì)
SiF4
SiCl4
SiBr4
SiI4
SiCl4
GeCl4
SnCl4
PbCl4
熔點(diǎn)/℃
-90.4
-70.4
5.2
120
-70.4
-49.5
-36.2
-15
    (1)鈉的鹵化物、堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子、堿金屬離子的________有關(guān),隨著________的增大,熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與__________有關(guān),隨著_________增大,_________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________有關(guān),因?yàn)開______,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列各組物質(zhì)在熔化時(shí)均需克服化學(xué)鍵,且是按熔點(diǎn)由低至高的順序排列的有(   )
A.K、Na、LiB.金剛石、碳化硅、晶體硅
C.干冰、冰、石英D.F2、Cl2、Br2、I2

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

金屬的下列性質(zhì)不能用金屬晶體結(jié)構(gòu)加以解釋的是( )
A.有金屬光澤
B.易生銹
C.易導(dǎo)電
D.有延展性

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

共價(jià)鍵、離子鍵、分子間作用力都是粒子間的作用力,下列物質(zhì)中會(huì)有以上兩種作用的晶體是( )
A.SiO2B.Ar
C.NaClD.NaOH

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:計(jì)算題

下圖是超導(dǎo)化合物----鈣鈦礦晶體中最小重復(fù)單元(晶胞)的結(jié)構(gòu)。請回答:

(1)該化合物的化學(xué)式為         。
(2)在該化合物晶體中,與某個(gè)鈦離子距離最近且相等的其他鈦離子共有      個(gè)。
(3)設(shè)該化合物的式量為M,密度為ag/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶體中鈣離子與鈦離子之間的最短距離為        。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

離子鍵的強(qiáng)弱主要決定于離子半徑和離子電荷值.一般規(guī)律是:離子半徑越小,電荷值越大,則離子鍵越強(qiáng).試分析:①K2O②CaO③MgO的離子鍵由強(qiáng)到弱的順序是(  )
A.①②③B.③①②C.②①③D.③②①

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同步練習(xí)冊答案
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