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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數分別是            。

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是            。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料,該化合物半導體材料的化學式可表示為            。

解析:Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族,因此Ga和As的最外層電子數分別是3和5。Ga是金屬元素,As是非金屬元素,因此GaAs中Ga和As的化合價分別是+3和-3。第ⅣA族的C和Si兩元素,C元素的非金屬性強,因此該化合物的化學式為SiC。

答案:(1)3,5  (2)+3,-3  (3)SiC

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優越。Ga、As分別位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。

(1)Ga原子和As原子最外層的電子數分別是多少?

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是多少?

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成與GaAs類似的化合物,該化合物也能用作半導體材料。試推斷該化合物的化學式。

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科目:高中化學 來源: 題型:

GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數分別是_____________________________________________。

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是___________________________________________。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料,該化合物半導體材料的化學式可表示為__________________。

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科目:高中化學 來源: 題型:

GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

    (1)Ga和As的最外層電子數分別是            。

    (2)GaAs中Ga和As的化合價分別是            。

    (3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料,該化合物半導體材料的化學式可表示為           

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科目:高中化學 來源: 題型:

GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優越。Ga、As分別位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。

(1)Ga原子和As原子最外層的電子數分別是多少?

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是多少?

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成與GaAs類似的化合物,該化合物也能用作半導體材料。試推斷該化合物的化學式。

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