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碳化硅SiC是一種晶體,具有類似金剛石的結構,其中碳原子和硅原子的位置是交替的.在下列各種晶體:①晶體硅、谙跛徕洝、劢饎偸、芴蓟琛、莞杀、薇,它們的熔點由高到低的順序是( 。
A、①②③④⑤⑥B、①④③②⑥⑤C、③④①②⑥⑤D、③④①②⑤⑥
分析:熔點的一般規律:原子晶體>離子晶體>分子晶體,同種晶體根據晶體中微粒間的作用力大小分析.
解答:解:晶體屬于原子晶體的有①③④、離子晶體的有②、分子晶體的有⑤⑥.一般來說,原子晶體的熔點>離子晶體的熔點>分子晶體的熔點;對于原子晶體,原子半徑越大,鍵長越長,鍵能越小,熔點越低,鍵長Si-Si>Si-C>C-C,相應鍵能Si-Si<Si-C<C-C,故它們的熔點:金剛石>碳化硅>晶體硅;分子晶體中有氫鍵的熔點較高,所以熔點:冰>干冰,所以它們的熔點由高到低的順序是③④①②⑥⑤,
故選C.
點評:本題考查了晶體類型相同的物質中,原子晶體中鍵長對物質熔點的影響,鍵長越短,鍵能越大,物質的熔點越高;分子晶體中有氫鍵的物質熔點高.
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科目:高中化學 來源: 題型:

2004年9月3日英國《自然》雜志報道,碳化硅是已知最硬的物質之一,其單晶體可制作半導體材料。但正是由于它硬度高,熔化及鍛制的過程相當費勁,而且制成的晶片容易產生瑕疵,如雜質、氣泡等,這些物質會嚴重影響或削弱電流。因此,碳化硅一直無法被用來制造芯片。日本研究人員稱,他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法,使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠。下列有關碳化硅(SiC)的有關說法錯誤的是

A. 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體

B. 碳化硅是一種新型的無機非金屬材料

C. 碳化硅的熔點比晶體硅高

D. 制取碳化硅的反應:SiO2+3CSiC+2CO↑中,SiO2是氧化劑,C是還原劑

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