營養液的成分 | KCl、K2SO4、NH4Cl |
物質的量之比 | n(KCl):n(K2SO4):n(NH4Cl)=1:4:8 |
分析 (1)硫酸鉀為強電解質,在溶液中完全電離,據此寫出硫酸鉀的電離方程式;
(2)根據n=$\frac{m}{M}$計算出氯化鉀的物質的量,然后根據n(KCl):n(K2SO4):n(NH4Cl)=1:4:8計算出需要氯化銨的物質的量,最后根據m=nM計算出氯化銨的質量;
(3)根據配制一定物質的量濃度的溶液步驟判斷圖甲位置;操作③為轉移溶液,玻璃杯應該放在容量瓶刻度線下方.
解答 解:(1)K2SO4為強電解質,在溶液中完全電離出鉀離子和硫酸根離子,其電離方程式為:K2SO4═2K++SO42-,
故答案為:K2SO4═2K++SO42-;
(2)74.5gKCl的物質的量為:$\frac{74.5g}{74.5g/mol}$=1mol,根據n(KCl):n(K2SO4):n(NH4Cl)=1:4:8可知:n(NH4Cl)=8n(KCl)=1mol×8=8mol,8mol氯化銨的質量為:53.5g/mol×8mol=428.0g,
故答案為:428.0g;
(3)圖甲為定容,應該放在轉移溶液后、用膠頭滴管定容前,即放在③和④之間;圖③是將溶解、冷卻后的溶液轉移到容量瓶中,即轉移溶液;轉移溶液時,玻璃棒下端應該放在容量瓶刻度線的下方,
故答案為:③;④;轉移溶液;容量瓶刻度線的下方.
點評 本題考查較為綜合,涉及物質的量的計算、配制一定物質的量濃度的溶液、電離方程式書寫等知識,題目難度不大,明確配制一定物質的量濃度的溶液方法為解答關鍵,試題培養了學生的分析能力及靈活應用能力.
科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 過量的氧氣與二氧化硫 | B. | 過量的氫氧化鈉與二氧化硅 | ||
C. | 過量的二氧化錳與濃鹽酸 | D. | 過量的銅與濃硫酸 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | HF的電子式:H+[:tr | |
B. | Cl-離子的結構示意圖:![]() | |
C. | 乙酸的結構簡式:C2H3O2 | |
D. | 硫酸鈉的電離方程式:Na2SO4=2Na++SO42- |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 化學式為Na2CO3 | B. | 受熱不分解 | C. | 屬于鹽 | D. | 與鹽酸不反應 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
選項 | 概念 | 解釋 |
A | 酸 | 電離出的陽離子是氫離子的化合物 |
B | 氧化物 | 含有氧元素的化合物 |
C | 氧化還原反應 | 元素化合價發生變化的反應 |
D | 電解質 | 能導電的物質 |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
選項 | 事實 | 推測 |
A. | Na與冷水反應劇烈,K與冷水反應更劇烈 | Li與冷水反應緩慢 |
B. | 20Ca(OH)2堿性強于12Mg(OH)2 | 38Sr(OH)2堿性強于20Ca(OH)2 |
C. | Si是半導體材料,同主族的Ge也是半導體材料 | 第ⅣA元素形成的單質都是半導體材料 |
D. | F2與H2在暗處劇烈化合,Cl2與H2光照或點燃時反應 | Br2與H2反應需要加熱到一定溫度 |
A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 石英是制造光導纖維的原料,也是常用的半導體材料 | |
B. | 氧化鋁是冶煉金屬鋁的原料,也是較好的耐火材料 | |
C. | 與銅質水龍頭的鋼質水管,在連接處易發生腐蝕 | |
D. | 大量燃燒化石燃料是造成霧霾的重要因素之一 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 用蒸餾法將自來水制成蒸餾水 | B. | 用酒精萃取碘水中的碘 | ||
C. | 用過濾法除去食鹽水中的泥沙 | D. | 用淘洗的方法從沙里淘金 |
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