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已知IBr、SiCl4、PCl3、CH3COCl、CH3COOOCCH3常溫下很容易與水反應,反應方式與鹽類水解類似。

(1)在所給5種物質與水反應的產物中,屬于最高價氧化物對應水化物的是________,屬于無氧酸的是________。

(2)分別將0.01mol這5種物質放入0.1L水中反應,結果使溶液的pH接近3的是________。

(1)H4SiO4HBr和HCl

(2)CH3COOOCCH3


解析:

根據水解反應規律,寫出有關反應的化學方程式為:IBr+H2O====HIO+HBr,SiCl4+4H2O====H2SiO4↓+4HCl,PCl3+3H2O====H3PO3+3HCl,CH3COCl+H2OCH3COOH+HCl,

CH3COOOCCH3+H2O2CH3COOH。

上述反應產物中屬于最高價氧化物對應水化物的是H4SiO4,屬于無氧酸的是HBr和HCl。5個反應中前4個反應都生成了強酸,只有第五個反應中的CH3COOH是弱酸。0.01molCH3COOOCCH3與水反應生成0.2molCH3COOH,形成的溶液約為0.1L,CH3COOH溶液濃度約為0.2mol·L-1。弱電解質難電離,大約有1%的CH3COOH發生電離,溶液中的H+濃度約為0.002mol·L-1,pH接近3。

練習冊系列答案
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科目:高中化學 來源: 題型:

已知IBr的性質與鹵素相似。的結構為,CrO5的結構為,次氟酸結構為H—O—F。下列反應屬于氧化還原反應的是(    )

    ①IBr+H2O====HIO+HBr

    ②+2H+====S+SO2↑+H2O

    ③+4H2O2+2H+====2CrO5+5H2O

    ④2HFO====2HF+O2

   A.①②③④                       B.②③④                           C.④                              D.②

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科目:高中化學 來源: 題型:

已知IBr、SiCl4、PCl3、CH3COCl、CH3COOOCCH3常溫下很容易與水反應,反應方式與鹽類水解類似。

(1)在所給5種物質與水反應的產物中,屬于最高價氧化物對應水化物的是________,屬于無氧酸的是________。

(2)分別將0.01 mol這5種物質放入0.1 L水中反應,結果使溶液的pH接近3的是________。

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科目:高中化學 來源: 題型:

工業上用“三氯氫硅還原法”制備純硅的工業流程如圖:

(1)石英砂的主要成分是         (填化學式),在制備粗硅時焦炭的作用是        

(2)制備三氯氫硅的反應:

Si(s)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2(g)

伴隨的副反應為:        

Si(s)+4HCl(g) SiCl4(g)+2H2(g)

已知SiHCl3和SiCl4常溫下均為液體,工業上分離SiHCl3和SiCl4的操作方法

        

寫出SiHCl3(g)和HCl反應生成SiCl4(g)和H2的熱化學方程式        

(3)該生產工藝中可以循環使用的物質是        

(4)實驗室用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下圖(熱源及夾持裝置略去).已知SiHCl3能與H2O強烈反應,在空氣中易自燃。

①裝置B中的試劑是         (填名稱),裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是          。

②實驗中先讓稀硫酸與鋅粒反應一段時間后,再加熱C、D裝置的理由是         ,裝置D中發生反應的化學方程式為        

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科目:高中化學 來源:2011屆廣東省茂名市高三第一次模擬考試(理綜)化學部分 題型:實驗題

工業上用“三氯氫硅還原法”制備純硅的工業流程如圖:

(1)石英砂的主要成分是        (填化學式),在制備粗硅時焦炭的作用是        
(2)制備三氯氫硅的反應:
Si(s)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2(g)
伴隨的副反應為:        
Si(s)+4HCl(g) SiCl4(g)+2H2(g)
已知SiHCl3和SiCl4常溫下均為液體,工業上分離SiHCl3和SiCl4的操作方法
        
寫出SiHCl3(g)和HCl反應生成SiCl4(g)和H2的熱化學方程式        
(3)該生產工藝中可以循環使用的物質是        
(4)實驗室用SiHCl3與過量H2反應制備純硅的裝置如下圖(熱源及夾持裝置略去).已知SiHCl3能與H2O強烈反應,在空氣中易自燃。
①裝置B中的試劑是        (填名稱),裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是         。

②實驗中先讓稀硫酸與鋅粒反應一段時間后,再加熱C、D裝置的理由是        ,裝置D中發生反應的化學方程式為        

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