Question

（07年廣東卷）（10分）C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）Ge的原子核外電子排布式為_____________                          

（2）C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中，能夠形成金屬晶體的是_________      

（3）按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)_________

①CO2分子的空間構(gòu)型及碳氧之間的成鍵方式 ______________   ；

②SiO2晶體的空間構(gòu)型及硅氧之間的成鍵方式 ______________   ；

③已知SnO2是離子晶體，寫出其主要物理性質(zhì)__________  （寫出2條即可）

CO可以和很多金屬形成配合物，如Ni(CO)4，Ni與CO之間的鍵型為 ________________        

（4）碳氧鍵的紅外伸縮振動(dòng)頻率與鍵的強(qiáng)度成正比，已知Ni(CO)4中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2060cm－1，CO分子中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率為2143cm－1，則Ni(CO)4中碳氧鍵的強(qiáng)度比CO分子中碳氧鍵的強(qiáng)度________  （填字母）

A  強(qiáng)    B  弱    C  相等    D  無(wú)法判斷

Answer 1

答案：（1） 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²  (2)Sn   

（3）①直線型  共價(jià)鍵（或σ鍵與π鍵）
②Si－O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu)，四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
共價(jià)鍵（或σ鍵）
③熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn)

（4）配位鍵  

（5）B

解析：（1）Ge位于元素周期表第4周期ⅣA族。對(duì)每一電子層進(jìn)行拆分至電子亞層，按s、p、d順序依次拆分而得核外電子排布式： 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p² 。各電子層中的電子亞層容納的電子數(shù)之和等于該電子層容納的電子數(shù)。

       （2）依據(jù)元素周期律，同主族元素按照從上至下的順序，金屬性逐漸增強(qiáng)，能夠形成金屬晶體的元素應(yīng)是原子序數(shù)較大的元素。

       （3）CO2分子結(jié)構(gòu)式O=C=O，是以極性共價(jià)鍵形成的非極性分子，直線型；SiO2晶體是以Si-O間極性共價(jià)鍵結(jié)合成的原子晶體，立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

       （4）“CO可以和很多金屬形成配合物，如Ni(CO)4。故推知Ni與CO間應(yīng)形成配位鍵。

       （5）依據(jù)題目中所給信息，在CO分子中碳氧鍵的伸縮振動(dòng)頻率（2143cm-1）大于Ni(CO)4中碳氧鍵伸縮振動(dòng)頻率，故在CO中碳氧鍵的強(qiáng)度大。