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下面的排序錯誤的是

A．晶體熔點由高到低：MgO> H₂O > NH₃

B．熔點由高到低：金剛石>生鐵>純鐵>鈉

C．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅

D．晶格能由大到小：NaF> NaCl> NaBr>NaI

試題分析：B項：順序應為，金剛石>純鐵>生鐵 >鈉，故錯。故選B。
點評：本題考查的是熔點、硬度、晶格能的相關知識，需要注意的是合金的熔點會低于各組成成分的熔點。

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碳化硅(SiC)的一種晶體具有類似金剛石的結構，其中C原子和Si原子的位置是交替的。在下列三種晶體：①金剛石 ②碳化硅 ③二氧化硅中，它們的熔點由高到低的順序是
A．①②③ B．①③② C．③①② D．②①③

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列化學式能真實表示物質分子組成的是

A．NaOH

B．SO₃

C．CsCl

D．SiO₂

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列說法不正確的是(　　)

A．HCl、HBr、HI的熔、沸點依次升高與分子間作用力大小有關

B．H₂O的熔、沸點高于H₂S是由于H₂O分子之間存在氫鍵

C．甲烷可與水形成氫鍵

D．I₂易溶于CCl₄可以用相似相溶原理解釋

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列離子晶體中,熔點最低的是（）

A．NaCl

B．KCl

C．CaO

D．MgO

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

（6分）一種離子晶體的晶胞如右圖其中陽離子A以

表示，陰離子B以

表示。

（1）每個晶胞中含A離子的數目為________，含B離子數目為________。
（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學式是___________________；
（3）陽離子周圍距離最近的陰離子數為_____，陰離子周圍距離最近的陽離子數_____。
（4）已知A的離子半徑為r m，則該晶胞的體積是 ___________m³。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

金屬晶體的下列性質中，不能用金屬晶體結構加以解釋的是

A．易導電

B．易導熱

C．有延展性

D．易銹蝕

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列關于金屬及金屬鍵的說法正確的是(　　)

A．金屬鍵具有方向性和飽和性

B．金屬鍵是金屬陽離子與自由電子間的相互作用

C．金屬導電是因為在外加電場作用下產生自由電子

D．金屬具有光澤是因為金屬陽離子吸收并放出可見光

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列有關晶體的敘述中，不正確的是（）

A．金剛石空間網狀結構中，由共價鍵形成的碳原子環中，最小環上有6個碳原子

B．氯化鈉晶體中，每個Na^＋周圍距離相等的Cl^－共有6個

C．氯化銫晶體中，每個CS^＋周圍緊鄰8個Cl^－

D．干冰晶體中，每個CO₂分子周圍緊鄰10個CO₂分子

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