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【題目】根據所學物質結構知識,請你回答下列問題:
(1)人們把電子云輪廓圖稱為原子軌道,s電子的原子軌道都是形的,p電子的原子軌道都是形的.
(2)原子序數為24的元素原子中有個能層,個能級,未成對電子.
(3)具有(n﹣1)d10ns2電子構型的元素位于周期表中區和族.
(4)H2O、BF3、PCl3和PCl5四種分子中各原子均達8電子結構的分子是
(5)NCl3常溫下為黃色粘稠的油狀液體,可用作引爆劑和化學試劑.NCl3分子的立體構型是 , 中心原子采取雜化方式

【答案】
(1)球,啞鈴
(2)4,7,6
(3)ds,IIB
(4)PCl3
(5)三角錐形,sp3
【解析】解:(1)因s軌道為球形;p軌道是啞鈴形,所以s電子的原子軌道呈球形,p電子的原子軌道呈啞鈴形,每個p能級有3個原子軌道,且這三個軌道相互垂直,

故答案為:球;啞鈴;
(2)原子序數為24的元素為鉻,原子基態電子排布式為,1s22s22p63s23p63d54s1,原子核外電子排布分成4層,有4個能層,K能層上有1個能級1s,L能層上有2個能級,分別為2s、2p能級,M能層上有3個能級,分別為3s、3p、3d能級,N能層上有1個能級,為1s,7個能級,3d能級有5個未成對電子,4s1能級,1個未成對電子,共有6個未成對電子,

故答案為:4;7;6;
(3)最后填充s電子,為s區元素,包括ⅠA、ⅡA及He元素,最后填充p軌道電子,為p區元素,主要為主族和0族元素,最后填充d軌道電子,為d區元素,包括ⅢB~ⅤⅡB和ⅤⅢ族(錒系、鑭系除外),為過渡元素,(n﹣1)d全充滿,最后的電子填在s軌道上,為ds區元素,包括ⅠB、ⅡB元素,為過渡金屬,(n﹣1)d10ns2電子構型的元素,(n﹣1)d全充滿,最后2個電子填在s軌道上,為第IIB族,在ds區元素,

故答案為:ds;ⅡB;
(4)H2O中,H元素位于第IA族,則1+1≠8,所以所有原子不能都滿足最外層為8電子結構;

BF3中,B元素位于第IIIA族,3+3≠8,所有原子不能都滿足最外層為8電子結構;

PCl3中,P元素位于第VA族,5+3=8,所以所有原子都滿足最外層為8電子結構;

PCl5中,P元素位于第VA族,5+5=10,所以所有原子不能都滿足最外層為8電子結構;

故答案為:PCl3;
(5)NCl3中價層電子對個數=σ鍵個數+孤電子對個數=3+ =4,所以原子雜化方式是sp3,分子形狀為三角錐形,

故答案為:三角錐形;sp3
(1)根據s、p亞層的原子軌道進行判斷;
(2)根據鎂原子的核外電子排布進行回答;
(3)根據電子排布式判斷在元素周期表中的位置;
(4)根據原子的最外層電子數與形成的單鍵個數之和進行判斷;
(5)根據NCl3的價層電子對數判斷雜化方式和分子構型.

練習冊系列答案
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【題目】C、NSi能形成多種高硬度材料,如Si3N4,C3N4、SiC。

(1) Si3N4C3N4中硬度較高的是_________,理由是____________________。

(2)CN能合成三聚氰胺(如圖所示),其中N原子的雜化方式為________________

(3)CN還能形成一種五元環狀有機物咪唑(im),其結構為化合物[Co(im)6]SiF6的結構示意圖如圖所示:

①基態Co原子的次外層電子排布式為___________。NCo2+之間的化學鍵類型是_________________,判斷的理由是__________________。

②陰離子[SiF6]2-中心原子Si的價層電子對數為___________________陽離子[Co(im)6]2+[SiF6]2-之間除了陰陽離子間的靜電作用力,還存在氫鍵作用,畫出該氫鍵的表示式_______。(例如,水中氫鍵的表示式為:)。

(4)β-SiC為立方晶系晶體,晶胞參數為a,已知Si原子半徑為rSi,C原子半徑為rC,該晶胞中原子的分數坐標為:

C:(0,0,0);(1/21/20);(1/2,01/2);(0,1/21/2);……

Si:(1/41/4,1/4);(1/43/4,3/4);(3/41/4,3/4);(3/4,3/41/4)。

β-SiC立方晶胞中含有____Si原子、___C原子;該晶跑中原子的體積占晶胞體積的百分率為______________(列出計算式即可)。

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③體系的壓強不再改變 ④Y、Z的物質的量濃度比為1:2

⑤Y的轉化率不再改變的狀態 ⑥混合氣體的密度不再改變的狀態

A. 僅①④ B. ①③④ C. ①④⑤ D. ②③⑤⑥

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D.無法判斷

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D.55表示中子數

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C. X、Y的轉化率不相等 D. c1的取值范圍為0<c1<0.14 mol·L-1

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