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(10分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。請(qǐng)寫(xiě)出晶體硅的二種用途:______、______

制備純硅的主要步驟如下:

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(常溫下為液態(tài),易揮發(fā))

③SiHCl3與過(guò)量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。

已知:Ⅰ.SiHCl3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物,請(qǐng)寫(xiě)出其水解的化學(xué)方程式:___________。

Ⅱ.SiHCl3 在空氣中自燃。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                 

(2)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)

①裝置B中的試劑是     ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是______________,

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是               _  

裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為                  ___  

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度

以及                           _____________ 

④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:_________________________________。

 

【答案】

計(jì)算機(jī)芯片、太陽(yáng)能電池。(2分)  SiHCl3+3H2O===H2SiO3+H2↑+3HCl↑(2分)

(1)①SiO2+2CSi+2CO↑(1分)

(2)①濃H2SO4,(1分)                       使SiHCl3氣化,(1分)

②D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體,(1分)     SiHCl3+H2Si+3HCl,(1分)

③先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡,(1分)

④取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出現(xiàn)紅色說(shuō)明含F(xiàn)e,若不出現(xiàn)紅色說(shuō)明不含F(xiàn)e。(2分)

【解析】晶體硅的二種只要用途是計(jì)算機(jī)芯片、太陽(yáng)能電池;SiHCl3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物,則根據(jù)原子守恒可知,氣體是氯化氫和氫氣,所以方程式為SiHCl3+3H2O===H2SiO3+H2↑+3HCl↑。

(1)焦炭在高溫下還原二氧化硅制取粗硅,方程式為SiO2+2CSi+2CO↑。

(2)①由于SiHCl3易水解,所以必須干燥氫氣,即B中試劑是濃硫酸;由于SiHCl3是液態(tài),因此加熱的目的是使SiHCl3氣化。

②在D中氫氣還原SiHCl3生成單質(zhì)硅,所以D中現(xiàn)象是石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體,方程式為SiHCl3+H2Si+3HCl。

③由于高溫下氫氣及硅都能和空氣中的氧氣反應(yīng),而裝置中含有空氣,所以應(yīng)先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡。

④鐵是活潑的金屬,能和酸反應(yīng),而硅和一般的酸是不反應(yīng)的,所以正確的方法是取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出現(xiàn)紅色說(shuō)明含F(xiàn)e,若不出現(xiàn)紅色說(shuō)明不含F(xiàn)e。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013屆江西省南昌二中高三第一次考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題

(10分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。請(qǐng)寫(xiě)出晶體硅的二種用途:______、______
制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(常溫下為液態(tài),易揮發(fā))
③SiHCl3與過(guò)量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。
已知:Ⅰ.SiHCl3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物,請(qǐng)寫(xiě)出其水解的化學(xué)方程式:___________。
Ⅱ.SiHCl3在空氣中自燃。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                 
(2)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)

①裝置B中的試劑是    ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是______________,
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是               _  
裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為                  ___  
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度
以及                           _____________ 
④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:_________________________________。

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