Question

11．L、M、R、T、W是原子序數依次增大的短周期主族元素，M、T在周期表中的相對位置如表：L與R原子的最外層電子數相同，R的單質是一種常見的半導體材料．請回答下列問題：

M
	T

（1）T原子的結構示意圖為，元素W在周期表中位于第三周期第ⅦA族，M單質分子的電子式為．
（2）R是組成玻璃的元素之一，不能用帶磨口玻璃塞的試劑瓶放氫氧化鈉溶液的原因是（用化學方程式表示）SiO₂+2NaOH═Na₂SiO₃+H₂O．
（3）下列有關相應元素非金屬性強弱比較的說法，正確的是（填序號）acd．
a．M的氣態氫化物比R的氣態氫化物穩定，則非金屬性M強于R
b．高溫下L的單質能從R的最高價氧化物中置換出R，則非金屬性L強于R
c．W的核電荷數比T多，原子半徑比T小，得電子能力強，則非金屬性W強于T
d．同溫、同物質的量濃度的Na₂LO₃和Na₂TO₄溶液pH：Na₂LO₃＞Na₂TO₄，則非金屬性T強于L
（4）工業上可用二氧化硅、氯氣和焦炭在高溫條件下制備RW₄，該反應中除RW₄外的另一種產物可以用于工業冶煉鐵．制備RW₄反應的化學方程式為2Cl₂+SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$SiCl₄+2CO．

Answer 1

分析 L、M、R、T、W是原子序數依次增大的短周期主族元素，R的單質是一種常見的半導體材料，則R為Si，L與R原子的最外層電子數相同，二者同主族，則L為C元素，結合M、T在周期表中的相對位置，可知M處于第二周期，T處于第三周期，M只能處于ⅤA族，T、W分別處于ⅥA、ⅦA族，可推知M為N元素、T為S元素、W為Cl，據此解答．

解答 解：L、M、R、T、W是原子序數依次增大的短周期主族元素，R的單質是一種常見的半導體材料，則R為Si，L與R原子的最外層電子數相同，二者同主族，則L為C元素，結合M、T在周期表中的相對位置，可知M處于第二周期，T處于第三周期，M只能處于ⅤA族，T、W分別處于ⅥA、ⅦA族，可推知M為N元素、T為S元素、W為Cl．
（1）S原子的結構示意圖為，元素Cl在周期表中位于第三周期第ⅦA族，M單質分子為N₂，分子中N原子之間形成3對共用電子對，電子式為 ，
故答案為：；第三周期第ⅦA族；；
（2）二氧化硅與氫氧化鈉反應生成硅酸鈉，硅酸鈉是無機礦物膠，使磨口玻璃塞粘住，不能用帶磨口玻璃塞的試劑瓶盛放，反應方程式為SiO₂+2NaOH═Na₂SiO₃+H₂O，
故答案為：SiO₂+2NaOH═Na₂SiO₃+H₂O；
（3）a．M的氣態氫化物比R的氣態氫化物穩定，非金屬性越強氫化物越穩定，則非金屬性M強于R，故a正確；
b．高溫下，L的單質能從R的最高價氧化物中置換出R，高溫條件改變了物質的性質，不能說明非金屬性L強于R，故b錯誤；
c．W的核電荷數比T多，原子半徑比T小，W原子核對核外電子吸引越強，得電子能力強，則非金屬性W強于T，故c正確；
d．同溫同物質的量濃度的Na₂CO₃和Na₂SO₄溶液pH：Na₂CO₃＞Na₂SO₄，說明酸性碳酸弱于硫酸，故則非金屬性S強于C，故d正確，
故答案為：acd；
（4）工業上可用二氧化硅、氯氣和焦炭在高溫條件下制備SiCl₄，且該反應中除SiCl₄外的另一種產物可以用于工業冶煉鐵，該產物為CO，制備SiCl₄反應的化學方程式為2Cl₂+SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$SiCl₄+2CO，
故答案為：2Cl₂+SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$SiCl₄+2CO．

點評 本題考查結構性質位置關系應用，推斷元素是解題關鍵，（3）中b選項為易錯點，學生容易根據置換反應判斷，忽略外界條件對物質性質的影響，難度中等．