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Al和Ga及N和As分別是同主族的元素，請回答下列問題：
（1）砷化鎵是一種半導體材料，其化學式為              。
（2）寫出As原子處于基態時的核外電子排布式            。
（3）超高導熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應用廣泛，氮化鋁晶體與金剛石類似，每個鋁原子與      個氮原子相連，氮化鋁晶體屬于       晶體。
（4）NH₃是氮的氫化物，中心原子的雜化方式是          ，存在化學鍵的類型是    ，NH₃的沸點比AsH₃高的原因是                。

解析

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科目：高中化學 來源： 題型：

（2011?棗莊模擬）Al和Ga及N和As分別是同主族的元素，請回答下列問題：
（1）砷化鎵是一種半導體材料，其化學式為

GaAs

．
（2）寫出As原子處于基態時的核外電子排布式

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³

．
（3）超高導熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應用廣泛，氮化鋁晶體與金剛石類似，每個鋁原子與

個氮原子相連，氮化鋁晶體屬于

原子

晶體．
（4）NH₃是氮的氫化物，中心原子的雜化方式是

sp³

，存在化學鍵的類型是

共價鍵

，NH₃的沸點比AsH₃高的原因是

氨氣分子間有氫鍵

．

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科目：高中化學 來源：2010-2011學年山東省棗莊市高三4月模擬考試（理綜）化學部分 題型：填空題

Al和Ga及N和As分別是同主族的元素，請回答下列問題：

（1）砷化鎵是一種半導體材料，其化學式為。

（2）寫出As原子處于基態時的核外電子排布式。

（3）超高導熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應用廣泛，氮化鋁晶體與金剛石類似，每個鋁原子與個氮原子相連，氮化鋁晶體屬于晶體。

（4）NH₃是氮的氫化物，中心原子的雜化方式是，存在化學鍵的類型是，NH₃的沸點比AsH₃高的原因是。

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科目：高中化學 來源：棗莊模擬 題型：問答題

Al和Ga及N和As分別是同主族的元素，請回答下列問題：
（1）砷化鎵是一種半導體材料，其化學式為______．
（2）寫出As原子處于基態時的核外電子排布式______．
（3）超高導熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應用廣泛，氮化鋁晶體與金剛石類似，每個鋁原子與______個氮原子相連，氮化鋁晶體屬于______晶體．
（4）NH₃是氮的氫化物，中心原子的雜化方式是______，存在化學鍵的類型是______，NH₃的沸點比AsH₃高的原因是______．

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科目：高中化學 來源： 題型：

Al和Ga及N和As分別是同主族的元素，請回答下列問題：

（1）砷化鎵是一種半導體材料，其化學式為。

（2）寫出As原子處于基態時的核外電子排布式。

（3）超高導熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應用廣泛，氮化鋁晶體與金剛石類似，每個鋁原子與個氮原子相連，氮化鋁晶體屬于晶體。

（4）NH₃是氮的氫化物，中心原子的雜化方式是，存在化學鍵的類型是，NH₃的沸點比AsH₃高的原因是。

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