砷化鎵屬于第三代半導體，它能直接將電能轉變?yōu)楣饽埽榛墴襞輭勖瞧胀襞莸?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結構如右圖。試回答下列問題
（1）下列說法正確的是
▲ （選填序號）。
A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同 B．第一電離能：As＞Ga
C．電負性:As＞Ga D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素
E．半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將(CH
3)
3Ga和AsH
3用MOCVD方法制備得到， 該反應在700℃進行，反應的方程式為：
▲ 。
AsH
3空間形狀為：
▲ (CH
3)
3Ga中鎵原子雜化方式為：
▲ 。
（3）Ga的核外電子排布式為：
▲ 。
（4）AsH
3沸點比NH
3低，其原因是：
▲ 。
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