Question

高純硅是制造計(jì)算機(jī)電路芯片的主要原料．請(qǐng)回答：
（1）地殼中硅元素的含量?jī)H次于

 

元素．
（2）工業(yè)上用石英（主要成分為SiO₂）制備粗硅的反應(yīng)為：SiO₂+2C

高溫  .

Si+2R↑，則R的化學(xué)式為

 

．
（3）硅在氧氣中燃燒生成二氧化硅，并放出大量的熱，可作未來(lái)新能源，其反應(yīng)方程式為

 

．

Answer 1

分析：（1）地殼中元素含量由多到少的前四位元素為氧、硅、鋁、鐵；
（2）根據(jù)化學(xué)變化前后原子種類不變、原子數(shù)目沒(méi)有增減，由反應(yīng)的化學(xué)方程式推斷生成物R的分子構(gòu)成及化學(xué)式；
（3）根據(jù)題中對(duì)反應(yīng)的描述，判斷反應(yīng)的反應(yīng)物與生成物，從而完成反應(yīng)化學(xué)方程式的書(shū)寫(xiě)．

解答：解：（1）地殼中含量最多的元素為氧元素，其次是硅元素；
故答案為：氧（或O）；
（2）根據(jù)反應(yīng)的化學(xué)方程式SiO₂+2C

高溫  .

Si+2R↑，反應(yīng)前Si、O、C三種元素的原子個(gè)數(shù)依次為1、2、2，而反應(yīng)后Si、O、C三種元素的原子個(gè)數(shù)依次為1、0、0，所以在物質(zhì)R的2個(gè)分子中應(yīng)含有2個(gè)O原子和2個(gè)C原子，則每個(gè)R分子由1個(gè)C原子和1個(gè)O原子構(gòu)成；則物質(zhì)R的化學(xué)式為CO；
故答案為：CO；
（3）硅在氧氣中燃燒生成二氧化硅，即在點(diǎn)燃條件下，硅與氧氣反應(yīng)生成二氧化硅；
故答案為：Si+O₂

點(diǎn)燃  .

SiO₂．

點(diǎn)評(píng)：物質(zhì)的化學(xué)式可以表示物質(zhì)的組成也可以表示該物質(zhì)的一個(gè)分子的構(gòu)成，根據(jù)物質(zhì)的化學(xué)式可推斷物質(zhì)的分子構(gòu)成，根據(jù)分子的構(gòu)成也可寫(xiě)出物質(zhì)的化學(xué)式．